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IXFB100N50P

$119,000

Cantidad Precio
5+$116,620
10+$115,430
25+$113,050
50+$110,670
100+$107,100

Transistor de efecto de campo canal N.

17 disponibles

SKU: IXFB100N50P Categoría:

Mosfet Canal N IXFB100N50P.

Transistor mosfet canal N, unipolar y tecnología HiperFET.

Especificaciones:

  • Tensión disruptiva entre drenaje y fuente(Vds): 500V.
  • Corriente de drenaje continua(Id): 100A.
  • Resistencia entre drenaje y fuente(Rds On): 49 mΩ.
  • Tensión entre puerta y fuente(Vgs): 30V.
  • Tensión umbral entre puerta y fuente(Vgs th): 5V.
  • Empaque: PLUS-264-3.
  • Polaridad del transistor: Canal N.
  • Carga de puerta(Qg): 240 nC.
  • Temperatura de trabajo mínima: -55ºC.
  • Temperatura de trabajo máxima: +150ºC.
  • Disipación de potencia(Dp) : 1.25 kW.

Sitio Web del Fabricante: IXYS

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