Mosfet Canal N IXFB100N50P.
Transistor mosfet canal N, unipolar y tecnología HiperFET.
Especificaciones:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente(Vds): 500V.
- Corriente de drenaje continua(Id): 100A.
- Resistencia entre drenaje y fuente(Rds On): 49 mΩ.
- Tensión entre puerta y fuente(Vgs): 30V.
- Tensión umbral entre puerta y fuente(Vgs th): 5V.
- Empaque: PLUS-264-3.
- Polaridad del transistor: Canal N.
- Carga de puerta(Qg): 240 nC.
- Temperatura de trabajo mínima: -55ºC.
- Temperatura de trabajo máxima: +150ºC.
- Disipación de potencia(Dp) : 1.25 kW.
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