IRF540N

IRF540N – MOSFET de Potencia Canal N HEXFET

El IRF540N es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET, diseñada para ofrecer baja resistencia en conducción y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 100 V y una corriente de drenador de 33 A, el IRF540N es una de las referencias más utilizadas en electrónica de potencia tanto a nivel profesional como en proyectos de desarrollo. Su empaque TO-220 facilita el montaje sobre disipadores estándar, permitiendo una gestión térmica adecuada en circuitos de alta potencia.

Características principales

• Resistencia de conducción R DS(on) de 44 mΩ, que reduce al mínimo las pérdidas por conducción en circuitos de alta corriente
• Corriente de drenador continua de 33 A, apta para cargas de potencia considerable sin necesidad de paralelizar dispositivos
• Tensión gate-source V GS de ±20 V, compatible con señales de disparo de 5 V, 10 V y 12 V según el punto de operación
• Potencia de disipación de 130 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
• Corriente de avalancha repetitiva I AR de 16 A, que aporta robustez frente a picos inductivos transitorios
• Tecnología HEXFET de International Rectifier: estructura celular que optimiza la relación entre área de silicio y rendimiento eléctrico

Especificaciones técnicas

• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (V DSS): 100 V
• Corriente de drenador (I D): 33 A
• Resistencia en conducción (R DS(on)): 44 mΩ
• Potencia de disipación (P D): 130 W
• Tensión gate-source (V GS): ±20 V
• Corriente de avalancha repetitiva (I AR): 16 A
• Empaque: TO-220
• Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media y alta potencia
• Control de velocidad de motores DC mediante señales PWM
• Puentes H para conducción bidireccional de motores en robótica y automatización industrial
• Inversores y convertidores DC-DC en sistemas fotovoltaicos y de respaldo con baterías
• Circuitos de carga y descarga controlada de baterías de litio y plomo-ácido
• Etapas de salida en amplificadores clase D y otros diseños de alta eficiencia

El IRF540N es una referencia consolidada en electrónica de potencia, respaldada por décadas de uso en la industria y una extensa documentación de aplicación. Es la opción adecuada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET canal N robusto, con baja resistencia de conducción y capacidad para manejar corrientes elevadas en topologías de conmutación de uso frecuente.