IRF230
Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N, VDSS = 200V, RDS(on) = 400mΩ, ID = 9A, PD=75 W, VGS=± 20 V, IAR=9 A. Empaque TO-3.
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Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N, VDSS = 200V, RDS(on) = 400mΩ, ID = 9A, PD=75 W, VGS=± 20 V, IAR=9 A. Empaque TO-3.
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