IRFZ14
$4,165
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $4,082 |
| 10+ | $4,040 |
| 25+ | $3,957 |
| 50+ | $3,873 |
| 100+ | $3,749 |
MOSFET HEXFET® de potencia canal N IRFZ14, 60V, 10A, RDS(on) 200mΩ, 43W. Empaque TO-220. Conmutación y control de motores DC.
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IRFZ14 – MOSFET HEXFET® de Potencia Canal N
El IRFZ14 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñada para lograr baja resistencia de encendido y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 60V y una corriente de drenador de 10A, el IRFZ14 es una opción confiable para circuitos de control de potencia, accionamiento de motores DC, fuentes conmutadas y reguladores de carga. Su empaque TO-220 facilita la disipación de calor y el montaje en radiadores o directamente sobre tarjetas de circuito impreso.
Características principales
- Tecnología HEXFET® de International Rectifier, optimizada para baja resistencia en estado de conducción y conmutación rápida
- Tensión drenador-fuente (VDSS) de 60V, adecuada para sistemas de 12V, 24V y 48V
- Resistencia de encendido RDS(on) de 200mΩ, que reduce las pérdidas por conducción y el calentamiento del componente
- Corriente de drenador continua (ID) de 10A, suficiente para cargas de potencia media
- Disipación máxima de potencia (PD) de 43W en empaque TO-220 con disipador térmico adecuado
- Tensión de compuerta (VGS) de ±20V, compatible con drivers de compuerta estándar y señales de 10V a 15V
Especificaciones técnicas
- Fabricante: International Rectifier
- Tipo de canal: N
- Tensión drenador-fuente (VDSS): 60V
- Corriente de drenador continua (ID): 10A
- Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 200mΩ
- Disipación de potencia (PD): 43W
- Tensión de compuerta (VGS): ±20V
- Empaque: TO-220
Aplicaciones
- Control de velocidad de motores DC en robótica, drones y automatización industrial
- Conmutación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de baja y media potencia
- Reguladores de carga para paneles solares y sistemas de batería de 12V o 24V
- Accionamiento de cargas inductivas como solenoides, relés, bobinas y electroválvulas
- Circuitos de protección y corte electrónico de corriente en sistemas embebidos
- Etapas de potencia en inversores, variadores y convertidores DC-DC
El IRFZ14 es una solución robusta y ampliamente probada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET de potencia canal N confiable en proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de tensión de trabajo de 60V, corriente de 10A y baja resistencia de conducción lo hace ideal tanto para prototipos de laboratorio como para producción en serie, en aplicaciones industriales, automotrices y de consumo que operen con tensiones de hasta 60V.
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