BLF175

Transistor MOSFET RF NXP BLF175 HF/VHF 175W 28V

Descripción:

El BLF175 es un transistor MOSFET RF de potencia desarrollado por NXP (anteriormente Philips Semiconductors), diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en las bandas HF y VHF. Este dispositivo está optimizado para trabajar en amplificadores de radiofrecuencia de alta potencia, ofreciendo alta ganancia, excelente estabilidad térmica y gran confiabilidad en aplicaciones de transmisión continua.

Gracias a su capacidad para soportar desadaptaciones de carga (mismatch), baja distorsión y elevada robustez, el BLF175 es ampliamente utilizado en transmisores de radio, amplificadores lineales, equipos de comunicaciones, radioaficionados y sistemas industriales de RF.

Características:

• Modelo: BLF175.
• Fabricante: NXP Semiconductors / Philips.
• Tipo: MOSFET RF de potencia N-Channel.
• Tecnología: VDMOS de enriquecimiento.
• Voltaje de alimentación típico: 28 V.
• Potencia de salida RF: hasta 175 W.
• Rango de frecuencia: HF y VHF.
• Alta ganancia de potencia.
• Baja distorsión por intermodulación.
• Excelente estabilidad térmica.
• Soporta desadaptación total de carga (full load mismatch).
• Metalización en oro para mayor confiabilidad.
• Encapsulado cerámico de potencia con brida para disipación térmica.
• Ideal para amplificadores lineales de RF y transmisores de comunicaciones.