Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N, VDSS = 100V, RDS(on) = 15mΩ, ID = 80A, PD=260 W, VGS=± 20 V, IAR=45 A. Empaque TO-220.
IRF8010
$9,996
Cantidad | Precio |
---|---|
5+ | $9,796 |
10+ | $9,696 |
25+ | $9,496 |
50+ | $9,296 |
100+ | $8,996 |
Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N.
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