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APT32F120J

$150,059

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Mosfet de potencia canal N de 1200 V @33A.

8 disponibles

SKU: APT32F120J Categorías: , ,

Mosfet de potencia canal – N.

Transistor de efecto campo diseñado especialmente para otorgar una respuesta rápida ofreciendo una alta fiabilidad. Incorpora un diodo “drain-source” optimizado para una conmutación suave, minimizando las perdidas de voltaje y reduciendo los tiempos de recuperación. Puede soportar hasta 33 A de corriente de drenado continua (Id) y hasta ±30 V de voltaje gain- source. Ideal para proyectos como conversores buck, PFC o boost, interruptores único o doble tipo foward o conversores de retroceso.

Especificaciones: 

  • Voltaje drain – source: 1200V.
  • Corriente continua de drenado: 33 A.
  • Voltaje de impulso: 10V.
  • Rds On: 320m Ohm @25A 10V.
  • Vgs: 5V @2.5mA.
  • Gate charge: 560 nC @10V.
  • Capacitancia de entrada: 18200 pF@ 25V.
  • Disipación de potencia: 960 W.
  • Rango de temperatura: -55 °C ~ +150°C.
  • Empaque: SOT-227-4.

Sitio Web del Fabricante: MICROSEMI

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