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2N7000

(3 valoraciones de clientes)

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Transistor de efecto de campo Canal N modo mejorado de 200 mA @60 V.

567 disponibles

SKU: 2N7000 Categoría:

Transistor de efecto de campo en modo de mejora de canal N.

Usa la tecnología DMOS de alta densidad. Diseñados para minimizar la resistencia de estado activado y proporcionar un rendimiento de conmutación robusto, fiable y rápido. Pueden utilizarse en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA DC y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Ideal para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta de MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Especificaciones: 

  • Voltaje drain – source: 60 V.
  • Voltaje drain – gate: 60 V.
  • Voltaje gate – source: 20 V.
  • Máxima corriente drain: 200 mA.
  • Máxima disipación de potencia: 400 mW.
  • Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
  • Empaque: TO – 92.

Ver información técnica en PDF

3 valoraciones en 2N7000

  1. Alexander Sierra

    No solo se emplean los mosfet canal N, Tambien deberian tener mosfet canal P. En lo posible de montaje superficial por ej. irlml6402

  2. diego fernando pineda carmona

    necesito saber si me podrian conseguir elementos que no tienen en su catalogo

  3. LEONARDO FAVIO MENDEZ SIERRA

    Bueanas tardes.
    Me gustaria saber cuando se encuentran disponibles estos fet, necesito de 15 a 20 unidades.

    —————–

    En dos semanas los tendremos nuevamente.

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