IRF1010N

IRF1010N – MOSFET HEXFET® de Potencia Canal N

El IRF1010N es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y control de potencia donde se requiere baja resistencia de conducción y alta eficiencia energética. Gracias a sus características eléctricas robustas, el IRF1010N se emplea en fuentes conmutadas, variadores de velocidad para motores DC, inversores y circuitos de control industrial que operan con tensiones de bus de 12 V, 24 V o 48 V.

Características principales

• Tensión máxima drenador-fuente (VDSS) de 55 V, apta para sistemas de baja y media tensión
• Corriente de drenador (ID) de 85 A en continuo, para cargas de alta demanda
• Resistencia de conducción RDS(on) de solo 11 mΩ, minimizando pérdidas por conducción y calentamiento
• Potencia disipada máxima (PD) de 180 W con disipador adecuado
• Tensión de compuerta (VGS) de ±20 V, compatible con etapas de disparo de 5 V y 12 V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR) de 43 A, con buena robustez ante cargas inductivas

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (VDSS): 55 V
• Corriente de drenador (ID): 85 A
• Resistencia de conducción (RDS(on)): 11 mΩ
• Potencia disipada máxima (PD): 180 W
• Tensión de compuerta (VGS): ±20 V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 43 A
• Empaque: TO-220

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC en robótica y vehículos eléctricos de baja tensión
• Etapas de conmutación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Inversores y convertidores DC-DC para sistemas fotovoltaicos y bancos de baterías
• Puentes H para control bidireccional de motores
• Reguladores de corriente en sistemas de carga de baterías y gestión de energía
• Disyuntores electrónicos de estado sólido y circuitos de protección por sobrecorriente

El IRF1010N es una opción técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que necesitan un MOSFET de potencia con baja caída en conducción y alta capacidad de corriente en un empaque TO-220 de fácil montaje. Su combinación de 85 A de corriente, RDS(on) de 11 mΩ y 180 W de disipación lo hace adecuado tanto para prototipos de laboratorio como para diseños industriales de mediana escala donde la eficiencia y la fiabilidad son determinantes.