IRF8010

MOSFET de Potencia IRF1010E Canal N — International Rectifier

El IRF1010E es un transistor MOSFET de potencia canal N de la familia HEXFET de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta eficiencia. Con una resistencia de conducción extremadamente baja de 15 mΩ y una corriente de drenaje de hasta 80 A, el IRF1010E es una solución robusta para circuitos que exigen baja disipación y respuesta rápida. Se emplea ampliamente en fuentes conmutadas, variadores de velocidad, cargadores de batería y sistemas de gestión de energía.

Características principales

• Resistencia de conducción RDS(on) de tan solo 15 mΩ, lo que minimiza las pérdidas por conducción incluso a corrientes elevadas
• Corriente de drenaje continua ID de 80 A, apta para cargas industriales y de potencia media-alta
• Disipación máxima de potencia PD de 260 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
• Tensión gate-source VGS de ±20 V, compatible con drivers estándar de 10 V y 15 V
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 45 A, con protección ante transitorios de tensión
• Tecnología HEXFET de International Rectifier, reconocida por su fiabilidad en ambientes industriales exigentes

Especificaciones técnicas

• Tipo de canal: N
• Tensión drenaje-fuente VDSS: 100 V
• Corriente de drenaje ID: 80 A
• Resistencia de conducción RDS(on): 15 mΩ
• Disipación de potencia PD: 260 W
• Tensión gate-source VGS: ±20 V
• Corriente de avalancha IAR: 45 A
• Empaque: TO-220
• Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Variadores de velocidad para motores DC y trifásicos
• Cargadores de baterías de litio y plomo-ácido
• Convertidores DC-DC tipo buck y boost
• Inversores solares y sistemas de energía renovable
• Circuitos de control de potencia en equipos industriales y automotrices

El IRF1010E es una opción técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que necesitan un MOSFET de potencia confiable, con baja resistencia de conducción y alta capacidad de corriente en un empaque TO-220 fácil de montar. Su combinación de parámetros lo hace especialmente indicado para etapas de conmutación en sistemas embebidos de media y alta potencia, prototipos industriales y diseños de electrónica de potencia donde la eficiencia térmica es crítica.