UPD431000

NEC UPD431000 – Memoria RAM Estática 1 Mbit (128K×8)

El UPD431000 es un circuito integrado de memoria RAM estática (SRAM) fabricado por NEC, con capacidad de 1 Mbit organizada en 128.000 palabras de 8 bits cada una. A diferencia de las memorias DRAM, este dispositivo no requiere ciclos de refresco periódico, lo que simplifica el diseño del sistema y reduce la carga sobre el procesador. Construido en tecnología CMOS de bajo consumo, el UPD431000 se emplea en sistemas embebidos, equipos industriales, controladoras de comunicación y proyectos de electrónica digital donde se necesita acceso aleatorio a datos con tiempos de respuesta predecibles y estables.

Características principales

• Capacidad de 1 Mbit con organización de 128K palabras × 8 bits, accesible de forma aleatoria
• Tecnología CMOS estática: retiene datos mientras haya alimentación, sin necesidad de refresco
• Bajo consumo en modo standby, adecuado para diseños con batería o fuentes de alimentación limitadas
• Empaque 32-DIP (Dual In-line Package) compatible con zócalos estándar y protoboard
• Tiempos de acceso típicos entre 70 ns y 100 ns según la variante de velocidad
• Compatible con lógica TTL y CMOS a 5 V, facilita la integración en diseños clásicos

Especificaciones técnicas

• Fabricante: NEC
• Referencia: UPD431000
• Tipo de memoria: SRAM (Static Random Access Memory)
• Capacidad total: 1 Mbit (1.048.576 bits)
• Organización: 128K × 8 bits
• Empaque: 32-DIP
• Tecnología de proceso: CMOS
• Tensión de alimentación: 5 V

Aplicaciones

• Expansión de memoria en sistemas basados en microprocesadores clásicos como Z80, 6502 o 68000
• Almacenamiento temporal de datos en equipos industriales, PLCs y terminales de control
• Buffer de datos en sistemas de adquisición de señales y comunicación serial
• Restauración y emulación de computadoras de 8 y 16 bits de las décadas de 1980 y 1990
• Caché de trabajo en controladoras de disco, módems industriales y equipos de telecomunicaciones
• Prototipado de hardware donde se requiere SRAM de alta capacidad en encapsulado DIP de montaje directo

El UPD431000 es una elección técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que trabajan con arquitecturas de procesador clásicas o que necesitan memoria SRAM confiable en empaque DIP. Su combinación de bajo consumo en standby, tiempos de acceso predecibles y compatibilidad directa con lógica estándar de 5 V lo hace igualmente útil en desarrollos nuevos con componentes de inserción radial y en la reparación de equipos electrónicos de generaciones anteriores.