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DS1230Y-100

(1 valoración de cliente)

$130,900

Cantidad Precio
10+$124,355
25+$117,810
50+$115,192
100+$111,265
500+$104,720

Memoria SRAM, no volatil (NV SRAM).

10 disponibles

SKU: DS1230Y-100 Categoría:

DALLAS DS1230Y-100+.

Son SRAM no volátiles, totalmente estáticas y de 262 144 bits organizadas en 32 768 palabras por 8 bits. Cada NV SRAM tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente el VCC para detectar una condición fuera de tolerancia. Cuando ocurre tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se habilita incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. Los dispositivos DS1230 con paquete DIP se pueden usar en lugar de las RAM estáticas de 32k x 8 existentes que se ajustan directamente al popular estándar DIP de 28 pines de ancho de byte. Los dispositivos DIP también coinciden con el pinout de las EEPROM 28256, lo que permite la sustitución directa y mejora el rendimiento. Los dispositivos DS1230 en el paquete del módulo de perfil bajo están diseñados específicamente para aplicaciones de montaje en superficie. No hay límite en la cantidad de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz del microprocesador.

Especificaciones:

  • Memoria SRAM, no volatil (NV SRAM).
  • Capacidad: 32K x 8bits.
  • Interfaz: Paralelo.
  • Velocidad: 100nS.
  • Empaque: DIP(ancho 0.6″), 28 pines.

 

Sitio Web del Fabricante: MAXIM INTEGRATED

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1 valoración en DS1230Y-100

  1. jhony londoño

    Hola he comprado varias unidades pero no me funcionan bien tienen otras de diferente lote

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