STP6NA60

Transistor MOSFET STP6NA60 N-Channel 600V 6.5A de Alta Velocidad

El STP6NA60 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de potencia y conmutación de alta velocidad. Soporta altos voltajes y corrientes moderadas, lo que lo hace ideal para fuentes conmutadas (SMPS), inversores, drivers de motor y equipos de electrónica de potencia. Su baja resistencia interna y alta eficiencia permiten un funcionamiento confiable en circuitos exigentes.

Características:

• Tipo: MOSFET N-Channel (modo de enriquecimiento).
• Voltaje Drain-Source (VDS): 600V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 6.5A.
• Resistencia RDS(on) típica: ~1 Ω.
• Alta velocidad de conmutación.
• Voltaje Gate-Source: ±30V.
• Alta resistencia a avalanchas eléctricas.
• Baja capacitancia interna para mejor eficiencia.
• Encapsulado tipo TO-220 (según versión).
• Ideal para fuentes conmutadas (SMPS), inversores y control de potencia.
• Aplicaciones en equipos industriales, soldadura y motores.