FDS9435a Transistor Mosfet
Canal P – 30 V
Es una versión robusta para este tipo de Transistores MOSFET Fairchild Semiconductors, se ha optimizado para aplicaciones de administración de energía que requieren una amplia gama de variacion de voltaje.
Especificaciones
id- Corriente de drenaje continua: -5,3V
Vds -Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: -30V
Rds On- Resistencia entre drenaje y fuente: 50mOhhms
Polaridad del transistor: Canal-P
Vds- Tensión disruptiva entre puerta y fuente: 25V
Temperatura de trabajo máxima: +175 C
Disipación de potencia: 2.5W
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