AO4842

Transistor MOSFET Dual AO4842 N-Channel 30V 7.7A SMD SOIC-8

Descripción:

El AO4842 es un MOSFET de potencia de doble canal N integrado en un encapsulado SOIC-8 compacto. Gracias a su baja resistencia de conducción (RDS(on)) y su reducida carga de compuerta, es ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, convertidores DC-DC, fuentes de alimentación conmutadas, protección de baterías, equipos portátiles y circuitos de gestión de energía. Su configuración dual permite ahorrar espacio en la PCB y simplificar el diseño de sistemas electrónicos compactos.

Características:

• Modelo: AO4842.
• Tipo: MOSFET Dual N-Channel.
• Voltaje Drain-Source (VDS): 30V.
• Corriente de drenaje (ID): hasta 7.7A por canal.
• Resistencia RDS(on): 21 mΩ típ. @ VGS = 10V.
• Resistencia RDS(on): 30 mΩ típ. @ VGS = 4.5V.
• Voltaje Gate-Source (VGS): ±20V.
• Encapsulado: SOIC-8 / SOP-8.
• Tecnología Trench MOSFET de alta eficiencia.
• Baja carga de compuerta para conmutación rápida.
• Temperatura de operación: hasta 150°C.
• Ideal para convertidores Buck, gestión de baterías, fuentes conmutadas y aplicaciones de potencia compactas.
• Diseñado para aplicaciones de rectificación síncrona y sistemas de alimentación de alta eficiencia.