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BVSS123LT1G

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Mosfet canal N BVSS123LT1G  100 voltios 170mA.

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BVSS123LT1G

Mosfet canal N BVSS123LT1G  100 voltios 170mA, utilizado en aplicaciones automotrices y  Cambio de Control.
Dispositivo libre de plomo y cumple con RoHS.

Especificaciones:

  • Estilo de montaje: SMD/SMT.
  • Paquete / Cubierta: SOT-23-3.
  • Número de canales: 1 Channel.
  • Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V.
  • Id – Corriente de drenaje continua: 170 mA.
  • Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 6 Ohms.
  • Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V.
  • Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V.
  • Qg – Carga de puerta: -.
  • Temperatura de trabajo mínima: – 55 C.
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150 C.
  • Dp – Disipación de potencia : 225 mW.
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns.
  • Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns.
  • Peso de la unidad: 8 mg

Sitio Web del Fabricante: ONSEMI

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