Memoria FLASH de 4 MB.

Memoria no volátil con la tecnología EPROM la posibilidad de borrar y reprogramar el chip eléctricamente. Ofrece 1.000.000 ciclos de borrado y programación, y hasta 55 ns de tiempo de acceso a lectura. Además está diseñado con tecnología CMOS de bajo consumo de corriente de hasta 30 mA en tiempo de lectura y hasta 1 uA en modo standby. Ideal para proyectos guardar instrucciones y programas dando soporte a microcontroladores que requieren una gran cantidad de memoria en tiempo de ejecución.

Especificaciones: 

• Voltaje de alimentación operativo: 5 VDC.
• Corriente de suministro operativa: 30 mA.
• Tamaño de memoria: 4 MB.
• Organización: 512 KB  x 8
• Tipo de interfaz: Paralelo.
• Tiempo de acceso: 55 ns.
• Ciclos de programación/lectura: ~ 1.000.000.
• Rango de temperatura: – 65 °C ~ 150 °C.
• Empaque: FDIP-32W.