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29F040

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Memoria FLASH de 4 MB no volátil.

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SKU: 29F040 Categoría:

Memoria FLASH de 4 MB.

Memoria no volátil con la tecnología EPROM la posibilidad de borrar y reprogramar el chip eléctricamente. Ofrece 1.000.000 ciclos de borrado y programación, y hasta 55 ns de tiempo de acceso a lectura. Además está diseñado con tecnología CMOS de bajo consumo de corriente de hasta 30 mA en tiempo de lectura y hasta 1 uA en modo standby. Ideal para proyectos guardar instrucciones y programas dando soporte a microcontroladores que requieren una gran cantidad de memoria en tiempo de ejecución.

Especificaciones: 

  • Voltaje de alimentación operativo: 5 VDC.
  • Corriente de suministro operativa: 30 mA.
  • Tamaño de memoria: 4 MB.
  • Organización: 512 KB  x 8
  • Tipo de interfaz: Paralelo.
  • Tiempo de acceso: 55 ns.
  • Ciclos de programación/lectura: ~ 1.000.000.
  • Rango de temperatura: – 65 °C ~ 150 °C.
  • Empaque: FDIP-32W.

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