Memoria FLASH de 2048 KB.

Memoria no volátil con acceso aleatorio de lectura y escritura, añade a la tecnología EPROM la posibilidad de borrar y reprogramar el chip eléctricamente. Integra la tecnología de proceso ETOX (EPROM Tunnel Oxide) de Intel que incluye una mayor capacidad de borrado y programación. Ofrece 100.000 ciclos de borrado y programación, y hasta 90 ns de tiempo de acceso a lectura. Además está diseñado con tecnología CMOS de bajo consumo de corriente de hasta 10 mA en tiempo de lectura y hasta 50 uA en modo standby. Ideal para proyectos guardar instrucciones y programas dando soporte a microcontroladores que requieren una gran cantidad de memoria en tiempo de ejecución.

Especificaciones: 

• Voltaje de alimentación operativo: 12 VPP.
• Corriente de suministro operativa: 10 mA.
• Tamaño de memoria: 2048 KB.
• Organización: 256 KB  x 8
• Tipo de interfaz: Paralelo.
• Tiempo de acceso: 90 ns.
• Ciclos de programación/lectura: 100.000.
• Temporizador integrado de programación/borrado.
• Rango de temperatura: – 65 °C ~ 150 °C.
• Empaque: FDIP-32W.