2N7000
$714
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $700 |
| 10+ | $693 |
| 25+ | $678 |
| 50+ | $664 |
| 100+ | $643 |
Transistor de efecto de campo Canal N modo mejorado de 200 mA @60 V.
790 disponibles
Transistor de efecto de campo en modo de mejora de canal N.
Usa la tecnología DMOS de alta densidad. Diseñados para minimizar la resistencia de estado activado y proporcionar un rendimiento de conmutación robusto, fiable y rápido. Pueden utilizarse en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400mA DC y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2A. Ideal para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta de MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
Especificaciones:
- Voltaje drain – source: 60 V.
- Voltaje drain – gate: 60 V.
- Voltaje gate – source: 20 V.
- Máxima corriente drain: 200 mA.
- Máxima disipación de potencia: 400 mW.
- Rango de temperatura: – 55 °C ~ +150 °C.
- Empaque: TO – 92.
Alexander Sierra –
No solo se emplean los mosfet canal N, Tambien deberian tener mosfet canal P. En lo posible de montaje superficial por ej. irlml6402
diego fernando pineda carmona –
necesito saber si me podrian conseguir elementos que no tienen en su catalogo
LEONARDO FAVIO MENDEZ SIERRA –
Bueanas tardes.
Me gustaria saber cuando se encuentran disponibles estos fet, necesito de 15 a 20 unidades.
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En dos semanas los tendremos nuevamente.