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SD2932

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Transistor de potencia RF de efecto de campo canal N.

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SKU: SD2932 Categoría:

Mosfet de potencia RF canal N SD2932W.

Transistor de potencia RF de efecto de campo canal N, metalizado en oro. Es utilizado para amplificar y cambiar señales electrónicas en entornos de radiofrecuencia.

Especificaciones:

  • Tensión disruptiva entre drenaje y fuente(Vds): 125V.
  • Tensión entre puerta y fuente(Vgs): 20V.
  • Corriente de drenaje continua(Id): 40A.
  • Frecuencia de trabajo: 250 MHz.
  • Disipación de potencia(Dp) : 500 W.
  • Ganancia: 16 dB.
  • Potencia de salida: 300 W.
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150ºC.
  • Estilo de montaje: SMD/SMT.
  • Polaridad del transistor: Canal N.
  • Empaque: M244.
Fabricante

Sitio Web del Fabricante: ST MICROELECTRONICS

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