Mosfet de potencia RF canal N SD2932W.

Transistor de potencia RF de efecto de campo canal N, metalizado en oro. Es utilizado para amplificar y cambiar señales electrónicas en entornos de radiofrecuencia.

Especificaciones:

• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente(Vds): 125V.
• Tensión entre puerta y fuente(Vgs): 20V.
• Corriente de drenaje continua(Id): 40A.
• Frecuencia de trabajo: 250 MHz.
• Disipación de potencia(Dp) : 500 W.
• Ganancia: 16 dB.
• Potencia de salida: 300 W.
• Temperatura de trabajo máxima: + 150ºC.
• Estilo de montaje: SMD/SMT.
• Polaridad del transistor: Canal N.
• Empaque: M244.