Mosfet canal-P IRF9540N.

Mosfet de potencia canal P con  conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia. El empaque TO-220AB es preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

Especificaciones:

• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente (Vds): 100 V.
• Corriente de drenaje continua (Id): 23 A.
• Polaridad del transistor: Canal-P.
• Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 117 mOhms.
• Tensión entre puerta y fuente (Vgs ): 20V.
• Disipación de energía: 140W.
• Temperatura de funcionamiento: -55°C ∼ 175°C.
• Empaque: TO-220AB.