Mosfet canal-P IRF9540N.
Mosfet de potencia canal P con conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia. El empaque TO-220AB es preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.
Especificaciones:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente (Vds): 100 V.
- Corriente de drenaje continua (Id): 23 A.
- Polaridad del transistor: Canal-P.
- Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 117 mOhms.
- Tensión entre puerta y fuente (Vgs ): 20V.
- Disipación de energía: 140W.
- Temperatura de funcionamiento: -55°C ∼ 175°C.
- Empaque: TO-220AB.
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