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BD136

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Transistor BJT, tipo PNP para aplicaciones de media potencia. Encapsulado TO-126

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SKU: BD136 Categorías: ,

BD136

transistor bipolar tipo BJT en juntura PNP para aplicaciones de conmutación y lineales de media potencia integrado en un encapsulado tipo TO-126.

Características:

  • Potencia de disipación total 12.5W.
  • Voltaje máximo Colector-Emisor 45VDC.
  • Encapsulado TO-126.
  • Máxima temperatura de operación 150°C.

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