Diodo de conmutación de alta velocidad BAS32L.
Diodo de conmutación de alta velocidad , fabricado con tecnología plana y encapsulado en un pequeño paquete de montaje superficial de vidrio SOD80C sellado herméticamente.
Especificaciones:
- Tensión inversa máxima: 100 V.
- Sobrecorriente máx.: 4 A.
- Corriente directa: 200 mA.
- Tiempo de recuperación: 4 ns.
- Tensión directa: 1 V.
- Corriente inversa: 5 uA.
- Temperatura de trabajo mínima: – 65 °C∼ + 200 °C.
- Dimensiones: 1.6 mm x 3.7 mm x 1.6 mm.
- Empaque: SOD-80C-2.
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