COMPUERTA (3) NAND
Compuesto por 3 compuertas NAND este elemento posee Tecnología High speed CMOS ,permite el uso
de resistencias limitadoras de corriente para interconectar entradas a voltajes superiores a VCC.
- Amplio rango de voltaje operativo de 2 V a 6 V
- Las salidas pueden impulsar hasta 10 cargas LSTTL
- Bajo consumo de energía, 20 µA máx. ICC
- Tiempo de respuesta típico = 9 ns
- Unidad de salida de ±4 mA a 5 V
- Corriente de entrada baja de 1 µA máx.
- Empaque 14-DIP.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.