Optoacoplador con fototransistor.

Integra un LED infrarrojo de arseniuro de galio y un fototransistor NPN de silicio. Diseñados para cumplir con una tensión de prueba de aislamiento de hasta 5300 VRMS y una baja capacitancia de entrada/salida de hasta < 0.5 pF.

Especificaciones: 

• Voltaje de aislamiento: 5300 VRMS.
• Máximo voltaje inverso: 5 V.
• Consumo de corriente: 60 mA.
• Corriente de sobretensión: 3 A.
• Disipación de potencia: 100 mW.
• Tensión de ruptura del emisor del colector: 70 V.
• Tensión de ruptura de la base del emisor: 7 V.
• Corriente del colector: 50 mA ~ 100 mA.
• Disipación de potencia: 150 mW.
• Rango de temperatura: – 55 °C ~ 125 °C.
• Empaque: 6-DIP.