Transistor NPN de alta velocidad.

Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad con una corriente de colector de hasta 500 mA y cuentan con una ganancia de corriente útil en una amplia gama de corrientes de colector, corrientes de fuga bajas y voltaje de saturación bajo.

Especificaciones: 

• Voltaje colector – base: 75 V ( Ie = 0).
• Voltaje colector – emisor: 40 V (Ib = 0).
• Votlaje emisor – base: 6V (Ic = 0).
• Corriente colector: 600 mA.
• Máximo pico de corriente colector: 800 mA.
• Disipación de potencia: 500 mW.
• Empaque:  TO-92.