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MOSFET HEXFET® Canal P – SOT-223, -60V, -1.8A

El MOSFET HEXFET® canal P de International Rectifier es un transistor de efecto de campo fabricado con la tecnología HEXFET, reconocida por su celda hexagonal que optimiza la densidad de corriente y reduce la resistencia en conducción. Con tensión de ruptura de -60V y corriente de drenaje de -1.8A en empaque SOT-223 de montaje superficial, este componente está diseñado para etapas de conmutación de baja potencia en las que el control proviene de un microcontrolador, FPGA o driver de compuerta. Su formato compacto SMD lo hace adecuado para tarjetas con alta densidad de componentes.

Características principales

• Canal P: conduce cuando VGS es negativo, ideal para topologías de conmutación de lado alto (high-side switch)
• Resistencia de conducción RDS(on) de 500mΩ, que limita las pérdidas por conducción en cargas de baja corriente
• Tensión máxima compuerta-fuente VGS de ±20V, compatible con lógica de 5V y 3.3V mediante divisor de tensión
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de -1.8A, indicador de robustez frente a picos inductivos transitorios
• Empaque SOT-223 con pad térmico expuesto para disipación directa hacia el PCB sin disipador externo

Especificaciones técnicas

• Tipo de canal: P
• Tensión drenaje-fuente VDSS: -60V
• Corriente de drenaje continua ID: -1.8A
• Resistencia en conducción RDS(on): 500mΩ
• Disipación de potencia PD: 3.1W
• Tensión compuerta-fuente VGS: ±20V
• Corriente de avalancha IAR: -1.8A
• Empaque: SOT-223 (montaje superficial)
• Fabricante: International Rectifier (Infineon)

Aplicaciones

• Conmutación de cargas DC de baja potencia desde Arduino, ESP32 o STM32 (lado alto de la carga)
• Control de motores DC pequeños, ventiladores y solenoides en diseños compactos
• Reguladores de carga lineal y fuentes conmutadas de baja potencia
• Protección por polaridad inversa en circuitos alimentados con baterías
• Etapas de control en cargadores de baterías LiPo y sistemas de gestión de energía portátiles

El MOSFET HEXFET canal P en SOT-223 es una opción sólida para ingenieros y diseñadores que requieren conmutación eficiente del lado alto en espacios reducidos. Su combinación de tensión de bloqueo de -60V, bajo perfil SMD y la confiabilidad de la tecnología HEXFET de International Rectifier lo hacen adecuado tanto para prototipos de desarrollo como para producción en serie de equipos electrónicos industriales, de consumo y de automatización.