28C64-B

📦 Memoria EEPROM 28C64-B – 64K (8K x 8) Paralela

La 28C64-B es una memoria EEPROM de alta capacidad diseñada para el almacenamiento confiable de datos en sistemas electrónicos, microcontroladores y aplicaciones embebidas. Gracias a su tecnología CMOS, ofrece bajo consumo, alta velocidad de acceso y la posibilidad de reprogramación eléctrica sin necesidad de retirar el circuito.

Con una capacidad cuatro veces mayor que modelos como la 28C16, esta memoria es ideal para proyectos que requieren mayor almacenamiento de firmware, tablas de datos o configuraciones complejas.

⚙️ Características principales

• Capacidad de memoria: 64 Kbit (8K x 8)
• Voltaje de operación: 5V ±10%
• Tiempo de acceso rápido: hasta 150 ns
• Escritura por página: hasta 64 bytes por ciclo
• Tiempo de escritura: máx. 10 ms por página
• Bajo consumo: aprox. 40 mA en operación
• Modo standby de bajo consumo: ~100 µA
• Alta durabilidad: 100,000 ciclos de escritura/borrado
• Retención de datos: hasta 10 años o más
• Protección de datos por hardware y software (SDP)
• Compatible con lógica CMOS y TTL

Nota: debido a la última revisión de protección de datos por software se recomienda grabarla con programadores certificados ya que de otra manera el mecanismo de protección no permitirá la escritura dirección por dirección.