NDT2955 – MOSFET Canal-P Superficial (SOT-223)
El NDT2955 es un MOSFET de canal-P de montaje superficial, con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de -60V. Su capacidad de disipación de potencia varía entre 1.1W y 3W dependiendo del tipo de montaje, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento confiable en condiciones de baja a media potencia.
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): -60V
- Disipación de potencia (Pd): 1.1W a 3W (dependiendo del montaje)
- Empaque: SOT-223
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