KSP44

Transistor NPN Alta Tensión en Encapsulado TO‑92

Es un transistor NPN de silicio epitaxial de alta tensión fabricado por onsemi (anteriormente Fairchild). En encapsulado TO‑92, es ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en entornos con tensión elevada. Posee una tensión Vsub de 400 V y una corriente de colector continua de 300 mA, lo que lo hace apto para sistemas de control, fuentes conmutadas o inversores. El valor típico del grado B (BU) es apto para montaje a través de agujero (THT), siendo una opción económica y robusta para múltiples proyectos.

Especificaciones técnicas

• Polaridad: NPN, transistor bipolar de propósito general

• Tensión colector-base (VCBO): 500 V

• Tensión colector-emisor (VCEO): 400 V

• Tensión emisor-base (VEBO): 6 V

• Corriente colector máxima (IC): 300 mA

• Potencia de disipación (PD):

  • 625 mW a 25 °C (ambiente)

  • 1.5 W montado en disipador o carcasa térmica

• Ganancia de corriente DC (h_FE):

  • Min. 40 @ 1 mA/10 V

  • 50–200 @ 10 mA/10 V

  • 45 @ 50 mA/10 V

  • 40 @ 100 mA/10 V

• Voltaje de saturación V_CE(sat):

  • 0.40 V @ 1 mA / 0.1 mA

  • 0.50 V @ 10 mA / 1 mA

  • 0.75 V @ 50 mA / 5 mA

• Capacitancia de salida (C_ob): 7 pF @ 1 MHz

• Temperatura de funcionamiento: –55 °C hasta +150 °C (Junción)

• Encapsulado: TO‑92‑3, montaje through-hole

• Cumplimiento: Libre de plomo, sin halógenos y RoHS