Transistor PNP tipo planar epitaxial. 

Diseñado especialmente para aplicaciones de amplificación de potencia a baja frecuencia y amplificación de transmisión.

Especificaciones: 

• Voltaje colector – emisor: -25 V.
• Voltaje colector – base: -25 V.
• Voltaje emisor – base: -5 V.
• Corriente de colector: -1 A.
• Corriente pico de colector: -2 A.
• Disipación de potencia: 900 mW.
• Frecuencia de trabajo: 200 MHz.
• Rango de temperatura: -55 °C ~ 150 °C.
• Empaque TO-92L.