Transistor NPN MPSA13.
Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.
Especificaciones:
- Voltaje colector-base (VCBO): 30V.
- Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.
- Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.
- Corriente de colector continua (IC): 500mA.
- Disipación de energía (PD): 625 mW.
- Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ∼150 °C.
- Resistencia térmica: 200Ω.
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