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MMSS8050-H

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Transistor bipolar (BJT) Montaje en superficie SOT-23.

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Transistor bipolar (BJT)

Semiconductor discreto, transistor – bipolar (BJT) – Simple, transistor PNP.

Especificaciones:

  • Transistor bipolar (BJT) NPN
  • Voltaje: 25 V.
  • Corriente: 1,5 A.
  • Potencia: 625 mW.
  • Montaje en superficie SOT-23.
  • Corriente – Colector (Ic) (Máx.) : 1,5A.
  • Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.): 25V.
  • Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV a 80mA, 800mA.
  • Corriente: corte del colector (máx.): 100nA.
  • Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V.
  • Frecuencia – Transición: 100 MHz.
  • Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ).

Sitio Web del Fabricante: MICRO COMMERCIAL COMPONETS

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