Transistor bipolar (BJT)
Semiconductor discreto, transistor – bipolar (BJT) – Simple, transistor PNP.
Especificaciones:
- Transistor bipolar (BJT) NPN
- Voltaje: 25 V.
- Corriente: 1,5 A.
- Potencia: 625 mW.
- Montaje en superficie SOT-23.
- Corriente – Colector (Ic) (Máx.) : 1,5A.
- Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.): 25V.
- Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV a 80mA, 800mA.
- Corriente: corte del colector (máx.): 100nA.
- Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V.
- Frecuencia – Transición: 100 MHz.
- Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ).
Valoraciones
No hay valoraciones aún.