MOSFET DE POTENCIA IRFP350
Mosfet HEXFET® de Potencia, diseñado para ser el equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible. Canal tipo N, VDSS = 400V, RDS(on) = 300mΩ, ID = 16A, PD=190 W, VGS=± 20 V, IAR=16 A. Empaque TO-247AC.
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