Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N, VDSS = 350V, RDS(on) = 1.8Ω, ID = 3.3A, PD=50 W, VGS=± 20 V, IAR=3.3 A. Empaque TO-220.
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Mosfet HEXFET® de Potencia, canal N, VDSS = 350V, RDS(on) = 1.8Ω, ID = 3.3A, PD=50 W, VGS=± 20 V, IAR=3.3 A. Empaque TO-220.
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