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IRF350

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IRF350 400V

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IRF350 400V

MOSFET de potencia. La geometría eficiente y procesamiento único de este último diseño de “Estado del arte” logra: muy baja resistencia en estado activado combinada con alta trans conductancia; energía inversa superior y recuperación de diodos dv/dt capacidad.
Ventajas de los MOSFET como el control de voltaje, muy rápido Conmutación y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos . Son muy adecuados para aplicaciones tales como conmutación de energía. suministros, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de impulsos de alta energía.

ESPECIFICACIONES:

  • Estilo de montaje: Through Hole.
  • Paquete / Cubierta: TO-204AA-2.
  • Polaridad del transistor: N-Channel.
  • Número de canales: 1 Channel.
  • Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V.
  • Id – Corriente de drenaje continua: 14 A.
  • Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 300 mOhms.
  • Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V.
  • Temperatura de trabajo mínima: – 55 C.
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150 C.
  • Dp – Disipación de potencia : 150 W.
  • Tiempo de caída: 130 ns.
  • Transconductancia hacia delante – Mín.: 6 S.
  • Altura: 7.74 mm, Longitud: 39.37 mm, Ancho: 25.53 mm.
  • Tiempo de subida: 190 ns.
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 170 ns.
  • Tiempo típico de demora de encendido: 35 ns.
  • Peso de la unidad: 6,500 g.

Sitio Web del Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES

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