IRF350 400V
MOSFET de potencia. La geometría eficiente y procesamiento único de este último diseño de “Estado del arte” logra: muy baja resistencia en estado activado combinada con alta trans conductancia; energía inversa superior y recuperación de diodos dv/dt capacidad.
Ventajas de los MOSFET como el control de voltaje, muy rápido Conmutación y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos . Son muy adecuados para aplicaciones tales como conmutación de energía. suministros, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de impulsos de alta energía.
ESPECIFICACIONES:
- Estilo de montaje: Through Hole.
- Paquete / Cubierta: TO-204AA-2.
- Polaridad del transistor: N-Channel.
- Número de canales: 1 Channel.
- Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V.
- Id – Corriente de drenaje continua: 14 A.
- Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 300 mOhms.
- Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V.
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C.
- Temperatura de trabajo máxima: + 150 C.
- Dp – Disipación de potencia : 150 W.
- Tiempo de caída: 130 ns.
- Transconductancia hacia delante – Mín.: 6 S.
- Altura: 7.74 mm, Longitud: 39.37 mm, Ancho: 25.53 mm.
- Tiempo de subida: 190 ns.
- Tiempo de retardo de apagado típico: 170 ns.
- Tiempo típico de demora de encendido: 35 ns.
- Peso de la unidad: 6,500 g.
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