Mosfet de potencia canal – N.
Transistor de efecto campo diseñado especialmente para otorgar una respuesta rápida ofreciendo una alta fiabilidad. Incorpora un diodo “drain-source” optimizado para una conmutación suave, minimizando las perdidas de voltaje y reduciendo los tiempos de recuperación. Puede soportar hasta 33 A de corriente de drenado continua (Id) y hasta ±30 V de voltaje gain- source. Ideal para proyectos como conversores buck, PFC o boost, interruptores único o doble tipo foward o conversores de retroceso.
Especificaciones:
- Voltaje drain – source: 1200V.
- Corriente continua de drenado: 33 A.
- Voltaje de impulso: 10V.
- Rds On: 320m Ohm @25A 10V.
- Vgs: 5V @2.5mA.
- Gate charge: 560 nC @10V.
- Capacitancia de entrada: 18200 pF@ 25V.
- Disipación de potencia: 960 W.
- Rango de temperatura: -55 °C ~ +150°C.
- Empaque: SOT-227-4.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.