Transistor NPN de silicio.
con una base epitaxial de silicio en caja metálica Jedec y empaque TO-3. Está destinado a para circuitos de conmutación de potencia, reguladores reguladores en serie y en derivación, etapas de salida y de alta fidelidad.
Especificaciones:
- Voltaje colector – base: 100 V.
- Voltaje colector – emisor: 60 V ~ 70 V.
- Voltaje emisor – base: 7 V.
- Corriente colector: 15 A.
- Corriente base: 7 A.
- Disipación de potencia: 100 W.
- Rango de temperatura: -65 °C ~ 200 °C.
- Empaque: TO-3.
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