El IRFP250 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y media tensión. Con capacidad de manejar hasta 30 amperios de corriente continua y voltajes de hasta 200V, este componente es la solución ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, drivers de motor DC y sistemas de control de potencia. Su baja resistencia en estado ON de apenas 75 miliohms garantiza mínimas pérdidas por conducción y alta eficiencia energética.

Fabricado con tecnología HEXFET de International Rectifier, el IRFP250 ofrece excelente rendimiento térmico y capacidad de conmutación rápida, haciéndolo perfecto para circuitos PWM de alta frecuencia. Su robusto encapsulado TO-247 facilita la disipación de calor y permite montaje sencillo en disipadores térmicos estándar.

Características principales

• Tecnología HEXFET de alta eficiencia y confiabilidad
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de 75mΩ para mínimas pérdidas
• Capacidad de corriente continua de drenador de 30A
• Voltaje drenador-fuente de 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 214W con refrigeración adecuada
• Encapsulado TO-247 robusto y fácil de montar
• Tiempos de conmutación rápidos para aplicaciones de alta frecuencia
• Rango de voltaje compuerta-fuente de ±20V

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP250 / IRFP250N
• Tipo: MOSFET HEXFET de potencia, canal N
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en ON (RDS(on)): 75mΩ máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 30A
• Corriente de avalancha (IAR): 30A
• Disipación de potencia (PD): 214W a 25°C
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media potencia
• Inversores DC-AC para sistemas solares y UPS
• Convertidores DC-DC Buck, Boost y Buck-Boost
• Drivers y controladores de motores DC brushless
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Sistemas de control PWM para iluminación LED de potencia
• Amplificadores de audio clase D
• Soldadoras por punto y sistemas de calentamiento por inducción
• Controladores de velocidad para motores industriales

El Mosfet IRFP250 es un componente esencial para diseñadores e ingenieros electrónicos que buscan rendimiento y confiabilidad en sus proyectos de potencia. Su excelente relación precio-desempeño lo convierte en la opción preferida para aplicaciones industriales, automotrices y de energías renovables. ¡Adquiere tu IRFP250 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel con un componente probado y confiable!

Compartir

The post IRFP250 appeared first on Sigma Electrónica.

El FDL100N50F es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por Fairchild, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Con capacidad de manejar hasta 500V y 100A, este componente es ideal para proyectos de electrónica de potencia donde se requiere conmutación eficiente y control preciso de cargas pesadas. Su robusto empaque TO-264 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Voltaje drain-source (VDSS) de 500V para aplicaciones de alta tensión
• Corriente continua de drenador (ID) de 100A a 25°C
• Disipación de potencia de 2500W a 25°C
• Voltaje gate-source (VGSS) de ±30V para control versátil
• Empaque TO-264 optimizado para montaje en disipadores de calor
• Baja resistencia en estado activo para mínimas pérdidas
• Tecnología MOSFET de canal N para conmutación rápida
• Excelente estabilidad térmica y alta eficiencia energética

Especificaciones técnicas

• Modelo: FDL100N50F
• Fabricante: Fairchild Semiconductor
• Tipo: MOSFET Canal N
• Voltaje drain-source máximo (VDSS): 500V
• Voltaje gate-source (VGSS): ±30V
• Corriente de drenador continua (ID): 100A a 25°C
• Potencia disipada (PD): 2500W a 25°C
• Empaque: TO-264
• Configuración: 3 terminales (Gate, Drain, Source)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Control de motores DC y AC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Sistemas de soldadura por inversor
• Cargadores de baterías industriales
• Equipos de tracción eléctrica
• Amplificadores de audio clase D de alta potencia
• Sistemas de calefacción por inducción
• Variadores de frecuencia industriales

El FDL100N50F es la solución perfecta para ingenieros y técnicos que buscan un MOSFET confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de alta tensión, corriente robusta y excelente capacidad de disipación lo convierten en un componente esencial para aplicaciones industriales y profesionales. ¡Adquiere tu FDL100N50F ahora y lleva tus proyectos de potencia al siguiente nivel! Disponible con envío a toda Colombia.

Compartir

The post FDL100N50F appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFP240 es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones de alta eficiencia en conmutación de potencia. Este componente electrónico ofrece una excelente combinación de baja resistencia en estado encendido y alta capacidad de corriente, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos de electrónica de potencia que requieren confiabilidad y rendimiento superior.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia RDS(on) de solo 0.18Ω que minimiza pérdidas de potencia
• Capacidad de corriente continua de drenador de 20A
• Voltaje drenador-fuente de hasta 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 150W con adecuada refrigeración
• Encapsulado TO-247AC robusto con excelente disipación térmica
• Corriente de avalancha de 20A para protección en transitorios
• Tiempos de conmutación rápidos ideales para fuentes switching

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP240
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Fabricante: International Rectifier
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en conducción RDS(on): 0.18Ω máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 20A
• Disipación de potencia (PD): 150W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 20A
• Encapsulado: TO-247AC de 3 pines

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Control de velocidad de motores DC de mediana potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Amplificadores de audio clase D
• Cargadores de baterías inteligentes
• Sistemas de control industrial y automatización
• Proyectos de electrónica de potencia DIY y profesionales

El IRFP240 es el componente perfecto para ingenieros, técnicos electrónicos y makers que buscan un MOSFET de potencia confiable y de alto rendimiento. Su tecnología HEXFET® garantiza operación eficiente con mínimas pérdidas, mientras que su robusto encapsulado TO-247AC facilita el montaje en disipadores de calor. Ideal para todo tipo de proyectos de electrónica de potencia en Colombia. ¡Adquiere tu IRFP240 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel de eficiencia!

Compartir

The post IRFP240 appeared first on Sigma Electrónica.

El IRF840 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo de altas tensiones. Este componente electrónico es fundamental en proyectos de electrónica de potencia, control de motores DC, fuentes conmutadas y circuitos inversores, ofreciendo excelente rendimiento y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de solo 0.850Ω, minimizando pérdidas por calor
• Alta velocidad de conmutación ideal para PWM y control de frecuencia
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil montaje en disipador
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y DIY
• Amplio rango de temperatura de operación

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRF840
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drain-Source (VDSS): 500V
• Corriente de Drain continua (ID): 8A
• Resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on)): 0.850Ω
• Encapsulado: TO-220
• Configuración: Canal N enhancement mode

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC de media y alta potencia
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
• Circuitos inversores para sistemas de energía solar
• Controladores PWM para iluminación LED de alta potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Sistemas de control industrial y automatización
• Amplificadores de audio clase D
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores

El MOSFET IRF840 es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su disponibilidad inmediata y precio competitivo lo convierten en una opción ideal para prototipos y producción. ¡Adquiere tu IRF840 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel!

Compartir

The post IRF840 appeared first on Sigma Electrónica.

El disipador para integrados con encapsulado TO-220 es un componente esencial en cualquier proyecto electrónico que requiera regular temperatura y mejorar la disipación térmica. Este disipador térmico TO-220 está diseñado específicamente para montarse sobre transistores, reguladores de voltaje y circuitos integrados que generan calor significativo durante su operación. Al utilizar este disipador, garantizas que tus componentes trabajen dentro de rangos de temperatura seguros, prolongando su vida útil y mejorando el rendimiento general de tu circuito.

Características principales

• Diseño compacto y ligero para fácil instalación
• Material de aluminio de alta conductividad térmica
• Compatible con todos los encapsulados TO-220 estándar
• Reduce efectivamente la temperatura de operación de componentes
• Ideal para proyectos con Arduino, Raspberry Pi y electrónica general
• Acabado resistente a la corrosión

Especificaciones técnicas

• Encapsulado: TO-220
• Material: Aluminio
• Peso: Ligero (facilita integración en circuitos)
• Rango de temperatura de operación: -40°C a +150°C
• Método de montaje: Pernos o adhesivo térmico
• Dimensiones: Estándar para TO-220

Aplicaciones

• Reguladores lineales de voltaje (7805, 7812, LM317)
• Transistores de potencia en amplificadores de audio
• Fuentes de alimentación reguladas
• Circuitos controladores de motor PWM
• Proyectos Arduino y Raspberry Pi con alta disipación
• Electrónica industrial y automatización
• Sistemas de control de carga y potencia

Compartir

The post DISIPADORES appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFZ44N es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren alta eficiencia en conmutación y bajo consumo energético. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control y automatización industrial debido a su excelente relación entre resistencia en conducción y capacidad de corriente.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de conducción RDS(on) de solo 17.5mΩ, minimizando pérdidas por calor
• Alta capacidad de corriente continua de drenador de 49A
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil de montar y disipar calor
• Excelente velocidad de conmutación para aplicaciones de alta frecuencia
• Protección contra corriente de avalancha de 25A
• Compatible con lógica de control de 5V y microcontroladores
• Ideal para diseños de fuentes conmutadas y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFZ44N
• Tipo: MOSFET HEXFET® de potencia, canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 55V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 17.5mΩ
• Corriente continua de drenador (ID): 49A
• Disipación de potencia (PD): 94W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 25A
• Encapsulado: TO-220

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de mediana y alta potencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de iluminación LED de potencia
• Cargadores de baterías inteligentes
• Automatización industrial y robótica
• Amplificadores de audio clase D

El MOSFET IRFZ44N es la solución perfecta para ingenieros, técnicos electrónicos, estudiantes y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos. Su bajo costo y excelentes características lo convierten en una opción ideal tanto para prototipos como para producción. ¡Adquiere tu IRFZ44N hoy mismo y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel!

Compartir

The post IRFZ44N appeared first on Sigma Electrónica.

El TIP127 es un transistor Darlington epitaxial PNP de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren control de cargas elevadas y amplificación de corriente. Este componente electrónico es esencial en circuitos de potencia, sistemas de control de motores, fuentes de alimentación reguladas y proyectos de electrónica que demandan alta ganancia de corriente. Su encapsulado TO-220 facilita la disipación térmica y permite montaje sencillo con disipador de calor cuando se trabaja con cargas exigentes.

Gracias a su configuración Darlington, el TIP127 ofrece una ganancia de corriente excepcionalmente alta, lo que lo convierte en la solución perfecta para aplicaciones donde se necesita controlar corrientes significativas con señales de control mínimas. Es el complemento PNP del popular TIP122, ampliamente utilizado en la comunidad maker, proyectos con Arduino, automatización industrial y reparación de equipos electrónicos.

Características principales

• Transistor Darlington epitaxial de tipo PNP para control de cargas negativas
• Alta ganancia de corriente ideal para amplificación de señales débiles
• Encapsulado TO-220 estándar que facilita montaje en PCB y uso con disipadores
• Excelente relación precio-rendimiento para proyectos profesionales y educativos
• Compatible con circuitos de control digital y analógico
• Resistente y confiable para aplicaciones industriales y comerciales

Especificaciones técnicas

• Modelo: TIP127
• Tipo: Transistor Darlington Epitaxial PNP
• Tensión colector-base (Vcb): -100V
• Tensión colector-emisor (Vce): -100V
• Tensión emisor-base (Veb): -5V
• Corriente de colector máxima (Ic): -5A
• Potencia de disipación (Pc): 65W
• Encapsulado: TO-220
• Ganancia típica (hFE): 1000 mínimo

Aplicaciones

• Control de motores DC de mediana y alta potencia
• Fuentes de alimentación reguladas y circuitos de potencia
• Drivers para cargas inductivas como relés, solenoides y electroválvulas
• Amplificadores de audio de potencia clase AB
• Sistemas de iluminación LED de alta corriente
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores
• Circuitos de conmutación y switching de potencia
• Automatización industrial y domótica
• Reparación de fuentes de alimentación y equipos electrónicos

El transistor TIP127 es un componente indispensable en tu inventario de electrónica. Ya seas estudiante, maker, técnico o ingeniero, este transistor te brindará el rendimiento y confiabilidad que tus proyectos necesitan. ¡Adquiere tu TIP127 ahora y lleva tus circuitos de potencia al siguiente nivel! Contamos con envíos a toda Colombia y asesoría técnica para tus proyectos.

Compartir

The post TIP127 appeared first on Sigma Electrónica.

El TIP42C es un transistor bipolar PNP de potencia diseñado para aplicaciones que requieren manejo de altas corrientes y voltajes. Con su capacidad de conmutar hasta 6 amperios y soportar voltajes de hasta 100V, este componente es esencial en proyectos de electrónica de potencia, fuentes de alimentación reguladas y sistemas de amplificación de audio. Su robusto encapsulado TO-220 facilita la disipación de calor y permite montaje en disipadores térmicos para maximizar su rendimiento en aplicaciones exigentes.

Características principales

• Transistor bipolar de unión tipo PNP de alta potencia
• Encapsulado TO-220 para fácil montaje en disipador térmico
• Excelente capacidad de disipación de potencia de 65W
• Alta ganancia de corriente para control eficiente de cargas
• Complementario del transistor NPN TIP41C
• Ideal para configuraciones push-pull y amplificadores clase AB
• Componente confiable para aplicaciones industriales y comerciales

Especificaciones técnicas

• Tipo: Transistor PNP de potencia
• Voltaje colector-emisor (Vce): -100V
• Voltaje colector-base (Vcb): -100V
• Voltaje emisor-base (Veb): -5V
• Corriente de colector máxima (Ic): -6A
• Potencia de disipación (Pc): 65W
• Encapsulado: TO-220
• Temperatura de operación: -65°C a +150°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación reguladas y switching
• Amplificadores de audio de potencia clase AB y B
• Reguladores de voltaje lineales de alta corriente
• Drivers para motores DC y cargas inductivas
• Circuitos de conmutación de potencia
• Inversores y convertidores DC-DC
• Sistemas de control industrial y automatización
• Proyectos de electrónica DIY y prototipos profesionales

Adquiere el TIP42C para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Este transistor de calidad profesional te brindará el rendimiento y confiabilidad que necesitas en tus diseños más exigentes. Perfecto para estudiantes, makers, técnicos e ingenieros. ¡Compra ahora y recibe asesoría técnica sin costo adicional!

Compartir

The post TIP42C appeared first on Sigma Electrónica.

El TIP41C es un transistor bipolar NPN de potencia media diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos que requieren manejo de corrientes considerables. Con su robusto empaque TO-220, este componente se ha convertido en una opción confiable para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un semiconductor versátil y económico para sus proyectos.

Este transistor ofrece excelentes características eléctricas que lo hacen ideal para controlar cargas de potencia media, garantizando un rendimiento estable y duradero en condiciones de trabajo exigentes. Su diseño permite una fácil disipación de calor cuando se monta adecuadamente sobre un disipador térmico.

Características principales

• Transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de potencia media
• Empaque TO-220 que facilita el montaje y disipación térmica
• Alta ganancia de corriente que permite controlar cargas significativas con pequeñas señales de entrada
• Excelente relación precio-rendimiento para proyectos electrónicos
• Amplia disponibilidad y compatibilidad con diseños estándar de la industria
• Construcción robusta que garantiza larga vida útil

Especificaciones técnicas

• Tipo: Transistor NPN de potencia
• Voltaje colector-emisor (Vce): 100V
• Voltaje colector-base (Vcb): 100V
• Voltaje emisor-base (Veb): 5V
• Corriente de colector continua (Ic): 6A
• Potencia de disipación (Pc): 65W
• Empaque: TO-220 (ideal para montaje con disipador)
• Configuración: 3 terminales (Base, Colector, Emisor)

Aplicaciones

• Control de motores DC de potencia media
• Fuentes de alimentación reguladas y switching
• Amplificadores de audio de potencia
• Drivers para relés y solenoides
• Circuitos de conmutación PWM
• Inversores y convertidores DC-DC
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de control industrial
• Automatización y robótica
• Reparación de equipos electrónicos

El transistor TIP41C es un componente esencial para tu taller o laboratorio de electrónica. Su versatilidad y confiabilidad lo convierten en una excelente inversión para estudiantes, makers, técnicos y profesionales. Aprovecha nuestro precio competitivo y añade este TIP41C a tu inventario de componentes electrónicos hoy mismo. ¡Ideal para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia!

Compartir

The post TIP41C appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFP360 es un transistor MOSFET de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo eficiente de altas corrientes y voltajes. Este componente electrónico es la solución ideal para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un dispositivo confiable para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de energía renovable, control de motores y fuentes de alimentación conmutadas.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia y confiabilidad
• Canal N tipo enhancement mode para fácil control mediante señal positiva
• Baja resistencia en estado encendido (RDS(on) = 200mΩ) que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de drenador de 23 amperios
• Alta velocidad de conmutación para aplicaciones de frecuencias elevadas
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica
• Amplio rango de temperatura de operación para ambientes exigentes
• Protección contra avalancha para mayor robustez en condiciones adversas

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP360
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET HEXFET® de Potencia, Canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 400V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 200mΩ máximo
• Corriente de Drenador continua (ID): 23A a 25°C
• Disipación de potencia (PD): 280W a 25°C
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 23A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)
• Temperatura de operación: -55°C a +175°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Controladores de velocidad para motores DC y BLDC
• Convertidores DC-DC buck, boost y buck-boost
• Cargadores de baterías de alto rendimiento
• Sistemas de soldadura por arco e inductivos
• Amplificadores de audio clase D
• Control de cargas resistivas e inductivas industriales
• Prototipos y proyectos de robótica avanzada
• Sistemas de calefacción por inducción

El IRFP360 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Su combinación de alto voltaje, corriente robusta y baja resistencia en conducción lo convierte en un componente versátil y confiable. Ideal tanto para aplicaciones industriales como para proyectos maker y de prototipado. ¡Adquiere tu IRFP360 ahora y lleva tus diseños electrónicos al siguiente nivel con la calidad garantizada de International Rectifier! Envíos a toda Colombia.

Compartir

The post IRFP360 appeared first on Sigma Electrónica.