MOSFET TO-220 – Sigma Electrónica https://www.sigmaelectronica.net Componentes Electrónicos Thu, 04 Jun 2026 20:36:30 +0000 es hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.4 https://www.sigmaelectronica.net/wp-content/uploads/2016/12/cropped-favicon-1-32x32.png MOSFET TO-220 – Sigma Electrónica https://www.sigmaelectronica.net 32 32 IRFZ14 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfz14/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfz14/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:48:29 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfz14/ MOSFET HEXFET® de potencia canal N IRFZ14, 60V, 10A, RDS(on) 200mΩ, 43W. Empaque TO-220. Conmutación y control de motores DC.

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]]> IRFZ14 – MOSFET HEXFET® de Potencia Canal N

El IRFZ14 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñada para lograr baja resistencia de encendido y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 60V y una corriente de drenador de 10A, el IRFZ14 es una opción confiable para circuitos de control de potencia, accionamiento de motores DC, fuentes conmutadas y reguladores de carga. Su empaque TO-220 facilita la disipación de calor y el montaje en radiadores o directamente sobre tarjetas de circuito impreso.

Características principales

  • Tecnología HEXFET® de International Rectifier, optimizada para baja resistencia en estado de conducción y conmutación rápida
  • Tensión drenador-fuente (VDSS) de 60V, adecuada para sistemas de 12V, 24V y 48V
  • Resistencia de encendido RDS(on) de 200mΩ, que reduce las pérdidas por conducción y el calentamiento del componente
  • Corriente de drenador continua (ID) de 10A, suficiente para cargas de potencia media
  • Disipación máxima de potencia (PD) de 43W en empaque TO-220 con disipador térmico adecuado
  • Tensión de compuerta (VGS) de ±20V, compatible con drivers de compuerta estándar y señales de 10V a 15V

Especificaciones técnicas

  • Fabricante: International Rectifier
  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenador-fuente (VDSS): 60V
  • Corriente de drenador continua (ID): 10A
  • Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 200mΩ
  • Disipación de potencia (PD): 43W
  • Tensión de compuerta (VGS): ±20V
  • Empaque: TO-220

Aplicaciones

  • Control de velocidad de motores DC en robótica, drones y automatización industrial
  • Conmutación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de baja y media potencia
  • Reguladores de carga para paneles solares y sistemas de batería de 12V o 24V
  • Accionamiento de cargas inductivas como solenoides, relés, bobinas y electroválvulas
  • Circuitos de protección y corte electrónico de corriente en sistemas embebidos
  • Etapas de potencia en inversores, variadores y convertidores DC-DC

El IRFZ14 es una solución robusta y ampliamente probada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET de potencia canal N confiable en proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de tensión de trabajo de 60V, corriente de 10A y baja resistencia de conducción lo hace ideal tanto para prototipos de laboratorio como para producción en serie, en aplicaciones industriales, automotrices y de consumo que operen con tensiones de hasta 60V.

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]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irfz14/feed/ 0 IRF8010 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:35:32 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/ MOSFET HEXFET canal N IRF1010E de 100V y 80A en empaque TO-220, diseñado para conmutación de alta corriente en fuentes y variadores.

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]]> MOSFET de Potencia IRF1010E Canal N — International Rectifier

El IRF1010E es un transistor MOSFET de potencia canal N de la familia HEXFET de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta eficiencia. Con una resistencia de conducción extremadamente baja de 15 mΩ y una corriente de drenaje de hasta 80 A, el IRF1010E es una solución robusta para circuitos que exigen baja disipación y respuesta rápida. Se emplea ampliamente en fuentes conmutadas, variadores de velocidad, cargadores de batería y sistemas de gestión de energía.

Características principales

  • Resistencia de conducción RDS(on) de tan solo 15 mΩ, lo que minimiza las pérdidas por conducción incluso a corrientes elevadas
  • Corriente de drenaje continua ID de 80 A, apta para cargas industriales y de potencia media-alta
  • Disipación máxima de potencia PD de 260 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
  • Tensión gate-source VGS de ±20 V, compatible con drivers estándar de 10 V y 15 V
  • Corriente de avalancha repetitiva IAR de 45 A, con protección ante transitorios de tensión
  • Tecnología HEXFET de International Rectifier, reconocida por su fiabilidad en ambientes industriales exigentes

Especificaciones técnicas

  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenaje-fuente VDSS: 100 V
  • Corriente de drenaje ID: 80 A
  • Resistencia de conducción RDS(on): 15 mΩ
  • Disipación de potencia PD: 260 W
  • Tensión gate-source VGS: ±20 V
  • Corriente de avalancha IAR: 45 A
  • Empaque: TO-220
  • Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
  • Variadores de velocidad para motores DC y trifásicos
  • Cargadores de baterías de litio y plomo-ácido
  • Convertidores DC-DC tipo buck y boost
  • Inversores solares y sistemas de energía renovable
  • Circuitos de control de potencia en equipos industriales y automotrices

El IRF1010E es una opción técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que necesitan un MOSFET de potencia confiable, con baja resistencia de conducción y alta capacidad de corriente en un empaque TO-220 fácil de montar. Su combinación de parámetros lo hace especialmente indicado para etapas de conmutación en sistemas embebidos de media y alta potencia, prototipos industriales y diseños de electrónica de potencia donde la eficiencia térmica es crítica.

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]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/feed/ 0 IRF730 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf730/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf730/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:34:14 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf730/ MOSFET de potencia canal N, 400V, 5.5A, RDS(on) 5.5Ω, empaque TO-220. Ideal para fuentes conmutadas, inversores y etapas de conmutación.

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]]> MOSFET de Potencia Canal N 400V 5.5A TO-220

El MOSFET de potencia canal N 400V TO-220 de International Rectifier es un transistor de efecto de campo diseñado para aplicaciones de conmutación de media y alta tensión. Gracias a su tensión de ruptura de 400 V y su capacidad de conducir hasta 5.5 A de corriente de drenador, este componente es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, inversores y etapas de potencia donde se requiere control electrónico eficiente de cargas inductivas o resistivas. Su encapsulado TO-220 facilita la disipación de calor mediante disipadores estándar disponibles en el mercado.

Características principales

  • Tensión drenador-fuente (VDSS) de 400 V, apta para redes de corriente alterna rectificada y buses de alta tensión
  • Corriente de drenador (ID) de 5.5 A en régimen continuo, con margen para picos de corriente de avalancha (IAR) de 5.5 A
  • Tensión de compuerta (VGS) de ±30 V, compatible con drivers de compuerta estándar de 5 V a 15 V
  • Disipación máxima de potencia (PD) de 74 W con disipador adecuado, lo que permite operación continua en aplicaciones de potencia media
  • Encapsulado TO-220 con terminal de montaje para disipador, garantizando una gestión térmica eficaz
  • Fabricado por International Rectifier, referente mundial en semiconductores de potencia

Especificaciones técnicas

  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenador-fuente máxima (VDSS): 400 V
  • Corriente de drenador continua (ID): 5.5 A
  • Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 5.5 Ω
  • Disipación de potencia máxima (PD): 74 W
  • Tensión compuerta-fuente (VGS): ±30 V
  • Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 5.5 A
  • Encapsulado: TO-220
  • Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) en topologías flyback, forward y half-bridge
  • Convertidores DC-DC de alta tensión para equipos industriales y de telecomunicaciones
  • Inversores de pequeña potencia para sistemas de energía solar y UPS
  • Control de motores DC en aplicaciones de automatización y robótica
  • Reguladores de potencia y dimmers electrónicos de alta tensión
  • Etapas de salida en amplificadores de audio clase D y circuitos resonantes

El MOSFET de potencia canal N 400V TO-220 de International Rectifier es una opción sólida para ingenieros, técnicos y diseñadores que trabajan con circuitos de conmutación de media tensión. Su combinación de alta tensión de ruptura, corriente de drenador útil y encapsulado TO-220 lo convierte en un componente versátil para prototipado y producción en serie. Este MOSFET de potencia es especialmente adecuado para quienes buscan un transistor confiable de una marca reconocida para sus diseños de electrónica de potencia.

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]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf730/feed/ 0 IRF540N https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:32:04 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/ IRF540N: MOSFET de potencia canal N, 100V, 33A, RDS(on) 44mΩ. Para conmutación de alta corriente en fuentes, motores e inversores.

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]]> IRF540N – MOSFET de Potencia Canal N HEXFET

El IRF540N es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET, diseñada para ofrecer baja resistencia en conducción y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 100 V y una corriente de drenador de 33 A, el IRF540N es una de las referencias más utilizadas en electrónica de potencia tanto a nivel profesional como en proyectos de desarrollo. Su empaque TO-220 facilita el montaje sobre disipadores estándar, permitiendo una gestión térmica adecuada en circuitos de alta potencia.

Características principales

  • Resistencia de conducción R DS(on) de 44 mΩ, que reduce al mínimo las pérdidas por conducción en circuitos de alta corriente
  • Corriente de drenador continua de 33 A, apta para cargas de potencia considerable sin necesidad de paralelizar dispositivos
  • Tensión gate-source V GS de ±20 V, compatible con señales de disparo de 5 V, 10 V y 12 V según el punto de operación
  • Potencia de disipación de 130 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
  • Corriente de avalancha repetitiva I AR de 16 A, que aporta robustez frente a picos inductivos transitorios
  • Tecnología HEXFET de International Rectifier: estructura celular que optimiza la relación entre área de silicio y rendimiento eléctrico

Especificaciones técnicas

  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenador-fuente (V DSS): 100 V
  • Corriente de drenador (I D): 33 A
  • Resistencia en conducción (R DS(on)): 44 mΩ
  • Potencia de disipación (P D): 130 W
  • Tensión gate-source (V GS): ±20 V
  • Corriente de avalancha repetitiva (I AR): 16 A
  • Empaque: TO-220
  • Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media y alta potencia
  • Control de velocidad de motores DC mediante señales PWM
  • Puentes H para conducción bidireccional de motores en robótica y automatización industrial
  • Inversores y convertidores DC-DC en sistemas fotovoltaicos y de respaldo con baterías
  • Circuitos de carga y descarga controlada de baterías de litio y plomo-ácido
  • Etapas de salida en amplificadores clase D y otros diseños de alta eficiencia

El IRF540N es una referencia consolidada en electrónica de potencia, respaldada por décadas de uso en la industria y una extensa documentación de aplicación. Es la opción adecuada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET canal N robusto, con baja resistencia de conducción y capacidad para manejar corrientes elevadas en topologías de conmutación de uso frecuente.

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]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/feed/ 0 IRF1010N https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf1010n/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf1010n/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:28:06 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf1010n/ MOSFET de potencia canal N, 55V, 85A y RDS(on) de 11mΩ en empaque TO-220. Ideal para conmutación y control de motores de alta corriente.

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]]> IRF1010N – MOSFET HEXFET® de Potencia Canal N

El IRF1010N es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y control de potencia donde se requiere baja resistencia de conducción y alta eficiencia energética. Gracias a sus características eléctricas robustas, el IRF1010N se emplea en fuentes conmutadas, variadores de velocidad para motores DC, inversores y circuitos de control industrial que operan con tensiones de bus de 12 V, 24 V o 48 V.

Características principales

  • Tensión máxima drenador-fuente (VDSS) de 55 V, apta para sistemas de baja y media tensión
  • Corriente de drenador (ID) de 85 A en continuo, para cargas de alta demanda
  • Resistencia de conducción RDS(on) de solo 11 mΩ, minimizando pérdidas por conducción y calentamiento
  • Potencia disipada máxima (PD) de 180 W con disipador adecuado
  • Tensión de compuerta (VGS) de ±20 V, compatible con etapas de disparo de 5 V y 12 V
  • Corriente de avalancha repetitiva (IAR) de 43 A, con buena robustez ante cargas inductivas

Especificaciones técnicas

  • Fabricante: International Rectifier
  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenador-fuente (VDSS): 55 V
  • Corriente de drenador (ID): 85 A
  • Resistencia de conducción (RDS(on)): 11 mΩ
  • Potencia disipada máxima (PD): 180 W
  • Tensión de compuerta (VGS): ±20 V
  • Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 43 A
  • Empaque: TO-220

Aplicaciones

  • Control de velocidad de motores DC en robótica y vehículos eléctricos de baja tensión
  • Etapas de conmutación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
  • Inversores y convertidores DC-DC para sistemas fotovoltaicos y bancos de baterías
  • Puentes H para control bidireccional de motores
  • Reguladores de corriente en sistemas de carga de baterías y gestión de energía
  • Disyuntores electrónicos de estado sólido y circuitos de protección por sobrecorriente

El IRF1010N es una opción técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que necesitan un MOSFET de potencia con baja caída en conducción y alta capacidad de corriente en un empaque TO-220 de fácil montaje. Su combinación de 85 A de corriente, RDS(on) de 11 mΩ y 180 W de disipación lo hace adecuado tanto para prototipos de laboratorio como para diseños industriales de mediana escala donde la eficiencia y la fiabilidad son determinantes.

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