El IRFP250 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y media tensión. Con capacidad de manejar hasta 30 amperios de corriente continua y voltajes de hasta 200V, este componente es la solución ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, drivers de motor DC y sistemas de control de potencia. Su baja resistencia en estado ON de apenas 75 miliohms garantiza mínimas pérdidas por conducción y alta eficiencia energética.

Fabricado con tecnología HEXFET de International Rectifier, el IRFP250 ofrece excelente rendimiento térmico y capacidad de conmutación rápida, haciéndolo perfecto para circuitos PWM de alta frecuencia. Su robusto encapsulado TO-247 facilita la disipación de calor y permite montaje sencillo en disipadores térmicos estándar.

Características principales

• Tecnología HEXFET de alta eficiencia y confiabilidad
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de 75mΩ para mínimas pérdidas
• Capacidad de corriente continua de drenador de 30A
• Voltaje drenador-fuente de 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 214W con refrigeración adecuada
• Encapsulado TO-247 robusto y fácil de montar
• Tiempos de conmutación rápidos para aplicaciones de alta frecuencia
• Rango de voltaje compuerta-fuente de ±20V

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP250 / IRFP250N
• Tipo: MOSFET HEXFET de potencia, canal N
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en ON (RDS(on)): 75mΩ máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 30A
• Corriente de avalancha (IAR): 30A
• Disipación de potencia (PD): 214W a 25°C
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media potencia
• Inversores DC-AC para sistemas solares y UPS
• Convertidores DC-DC Buck, Boost y Buck-Boost
• Drivers y controladores de motores DC brushless
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Sistemas de control PWM para iluminación LED de potencia
• Amplificadores de audio clase D
• Soldadoras por punto y sistemas de calentamiento por inducción
• Controladores de velocidad para motores industriales

El Mosfet IRFP250 es un componente esencial para diseñadores e ingenieros electrónicos que buscan rendimiento y confiabilidad en sus proyectos de potencia. Su excelente relación precio-desempeño lo convierte en la opción preferida para aplicaciones industriales, automotrices y de energías renovables. ¡Adquiere tu IRFP250 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel con un componente probado y confiable!

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El FDL100N50F es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por Fairchild, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Con capacidad de manejar hasta 500V y 100A, este componente es ideal para proyectos de electrónica de potencia donde se requiere conmutación eficiente y control preciso de cargas pesadas. Su robusto empaque TO-264 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Voltaje drain-source (VDSS) de 500V para aplicaciones de alta tensión
• Corriente continua de drenador (ID) de 100A a 25°C
• Disipación de potencia de 2500W a 25°C
• Voltaje gate-source (VGSS) de ±30V para control versátil
• Empaque TO-264 optimizado para montaje en disipadores de calor
• Baja resistencia en estado activo para mínimas pérdidas
• Tecnología MOSFET de canal N para conmutación rápida
• Excelente estabilidad térmica y alta eficiencia energética

Especificaciones técnicas

• Modelo: FDL100N50F
• Fabricante: Fairchild Semiconductor
• Tipo: MOSFET Canal N
• Voltaje drain-source máximo (VDSS): 500V
• Voltaje gate-source (VGSS): ±30V
• Corriente de drenador continua (ID): 100A a 25°C
• Potencia disipada (PD): 2500W a 25°C
• Empaque: TO-264
• Configuración: 3 terminales (Gate, Drain, Source)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Control de motores DC y AC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Sistemas de soldadura por inversor
• Cargadores de baterías industriales
• Equipos de tracción eléctrica
• Amplificadores de audio clase D de alta potencia
• Sistemas de calefacción por inducción
• Variadores de frecuencia industriales

El FDL100N50F es la solución perfecta para ingenieros y técnicos que buscan un MOSFET confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de alta tensión, corriente robusta y excelente capacidad de disipación lo convierten en un componente esencial para aplicaciones industriales y profesionales. ¡Adquiere tu FDL100N50F ahora y lleva tus proyectos de potencia al siguiente nivel! Disponible con envío a toda Colombia.

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El IRFP240 es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones de alta eficiencia en conmutación de potencia. Este componente electrónico ofrece una excelente combinación de baja resistencia en estado encendido y alta capacidad de corriente, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos de electrónica de potencia que requieren confiabilidad y rendimiento superior.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia RDS(on) de solo 0.18Ω que minimiza pérdidas de potencia
• Capacidad de corriente continua de drenador de 20A
• Voltaje drenador-fuente de hasta 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 150W con adecuada refrigeración
• Encapsulado TO-247AC robusto con excelente disipación térmica
• Corriente de avalancha de 20A para protección en transitorios
• Tiempos de conmutación rápidos ideales para fuentes switching

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP240
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Fabricante: International Rectifier
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en conducción RDS(on): 0.18Ω máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 20A
• Disipación de potencia (PD): 150W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 20A
• Encapsulado: TO-247AC de 3 pines

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Control de velocidad de motores DC de mediana potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Amplificadores de audio clase D
• Cargadores de baterías inteligentes
• Sistemas de control industrial y automatización
• Proyectos de electrónica de potencia DIY y profesionales

El IRFP240 es el componente perfecto para ingenieros, técnicos electrónicos y makers que buscan un MOSFET de potencia confiable y de alto rendimiento. Su tecnología HEXFET® garantiza operación eficiente con mínimas pérdidas, mientras que su robusto encapsulado TO-247AC facilita el montaje en disipadores de calor. Ideal para todo tipo de proyectos de electrónica de potencia en Colombia. ¡Adquiere tu IRFP240 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel de eficiencia!

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El IRFP22N50A es un transistor Mosfet de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Este componente electrónico de última generación ofrece un rendimiento excepcional en conmutación rápida, baja resistencia en conducción y alta capacidad de manejo de potencia, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos profesionales y aplicaciones industriales que demandan eficiencia y confiabilidad.

Características principales

• Tecnología HEXFET® avanzada de International Rectifier que garantiza máxima eficiencia
• Canal N de alta velocidad de conmutación para aplicaciones críticas
• Resistencia drain-source ultra baja de 0.23Ω que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de 22 amperios para cargas exigentes
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica y fácil montaje
• Diseño robusto que asegura larga vida útil en condiciones extremas
• Compatible con drivers estándar de Mosfet para facilitar la implementación

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFP22N50A
• Voltaje Drain-Source (V_DSS): 500V
• Corriente de Drain (I_D): 22A continua
• Resistencia Drain-Source en conducción (R_DS(on)): 0.23Ω típica
• Disipación de potencia (P_D): 277W a 25°C
• Voltaje Gate-Source (V_GS): ±30V máximo
• Tipo de canal: N
• Encapsulado: TO-247AC (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y energía renovable
• Controladores de motores DC y sistemas de tracción eléctrica
• Convertidores DC-DC para aplicaciones industriales
• Balastos electrónicos para iluminación profesional
• Sistemas UPS y protección de energía
• Amplificadores de audio clase D de alta fidelidad
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Equipos de soldadura por inversor
• Automatización industrial y control de cargas pesadas

El IRFP22N50A representa la mejor opción para ingenieros y técnicos en Colombia que buscan un Mosfet de potencia confiable y de alto rendimiento. Su excelente relación precio-calidad y especificaciones profesionales lo hacen perfecto tanto para prototipos como para producción en serie. ¡Adquiere tu IRFP22N50A ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel con componentes de calidad internacional!

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El IRF510 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con tecnología HEXFET® por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida y control de cargas de mediana potencia. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos con Arduino, ESP32, Raspberry Pi y sistemas de automatización industrial gracias a su excelente relación entre resistencia de encendido y capacidad de corriente.

Con su encapsulado TO-220AB, el IRF510 ofrece una solución robusta y confiable para ingenieros, técnicos electrónicos, makers y estudiantes que requieren controlar motores DC, cargas inductivas, fuentes conmutadas o sistemas de iluminación LED de alta potencia desde microcontroladores y circuitos lógicos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de encendido RDS(on) de 0.54Ω minimiza pérdidas de potencia
• Encapsulado TO-220AB con disipador integrado para fácil montaje
• Conmutación rápida ideal para fuentes switching y PWM
• Compatible con lógica de 5V y 3.3V mediante circuitos driver apropiados
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos electrónicos
• Ampliamente disponible y con documentación técnica completa

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRF510
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Tensión Drenaje-Fuente (VDSS): 100V
• Corriente de Drenaje continua (ID): 5.6A
• Resistencia Drenaje-Fuente en conducción RDS(on): 0.54Ω máximo
• Disipación de potencia (PD): 43W
• Tensión Gate-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 5.6A
• Encapsulado: TO-220AB

Aplicaciones

• Control de motores DC de hasta 5A con Arduino, ESP32 o PIC
• Fuentes de alimentación conmutadas (switching) de mediana potencia
• Inversores DC-AC y convertidores Buck/Boost
• Control PWM para regulación de velocidad de motores
• Drivers para tiras LED y iluminación de alta potencia
• Automatización industrial y domótica
• Proyectos educativos de electrónica de potencia
• Prototipos y desarrollos en robótica móvil
• Sistemas de carga de baterías controlados

El MOSFET IRF510 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica en Colombia. Su disponibilidad inmediata, precio competitivo de $2,800 COP y características técnicas superiores lo convierten en un componente esencial para cualquier banco de trabajo electrónico. Adquiere ahora tu IRF510 y lleva tus proyectos al siguiente nivel con componentes originales de International Rectifier.

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El IRFZ44N es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren alta eficiencia en conmutación y bajo consumo energético. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control y automatización industrial debido a su excelente relación entre resistencia en conducción y capacidad de corriente.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de conducción RDS(on) de solo 17.5mΩ, minimizando pérdidas por calor
• Alta capacidad de corriente continua de drenador de 49A
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil de montar y disipar calor
• Excelente velocidad de conmutación para aplicaciones de alta frecuencia
• Protección contra corriente de avalancha de 25A
• Compatible con lógica de control de 5V y microcontroladores
• Ideal para diseños de fuentes conmutadas y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFZ44N
• Tipo: MOSFET HEXFET® de potencia, canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 55V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 17.5mΩ
• Corriente continua de drenador (ID): 49A
• Disipación de potencia (PD): 94W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 25A
• Encapsulado: TO-220

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de mediana y alta potencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de iluminación LED de potencia
• Cargadores de baterías inteligentes
• Automatización industrial y robótica
• Amplificadores de audio clase D

El MOSFET IRFZ44N es la solución perfecta para ingenieros, técnicos electrónicos, estudiantes y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos. Su bajo costo y excelentes características lo convierten en una opción ideal tanto para prototipos como para producción. ¡Adquiere tu IRFZ44N hoy mismo y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel!

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El IRFP90N20D es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñado para manejar altas corrientes y tensiones en aplicaciones de electrónica de potencia. Con una tensión drenador-fuente de 200V y una corriente de drenador de 94A, el IRFP90N20D ofrece baja resistencia de conducción y alta capacidad de disipación, lo que lo convierte en una solución robusta para circuitos que exigen conmutación eficiente en entornos industriales, de telecomunicaciones y energías renovables.

Características principales

• Resistencia de encendido RDS(on) de solo 23mΩ, minimizando pérdidas por conducción y generación de calor
• Corriente de drenador continua de 94A, apta para cargas de potencia elevada sin degradación del dispositivo
• Disipación de potencia de 580W en encapsulado TO-247, con excelente transferencia térmica hacia el disipador
• Tensión drenador-fuente VDSS de 200V, adecuada para circuitos de media tensión en aplicaciones industriales
• Tensión de puerta VGS de ±30V, compatible con la mayoría de drivers de compuerta estándar del mercado
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 56A, que aporta protección intrínseca ante transitorios de tensión

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tecnología: HEXFET®
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (VDSS): 200V
• Corriente de drenador (ID): 94A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 23mΩ
• Disipación de potencia (PD): 580W
• Tensión de puerta (VGS): ±30V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 56A
• Encapsulado: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia en equipos industriales y telecomunicaciones
• Inversores de corriente para sistemas fotovoltaicos, UPS y respaldo energético
• Control de velocidad de motores DC y etapas de potencia en variadores de frecuencia
• Cargadores de baterías industriales y sistemas de almacenamiento de energía
• Convertidores DC-DC de alta eficiencia en topologías buck, boost y puente completo
• Accionamientos industriales y etapas de salida en amplificadores de audio de alta potencia

El IRFP90N20D es la elección indicada para ingenieros y técnicos que requieren un MOSFET de potencia con baja impedancia de conducción, alta robustez térmica y compatibilidad con drivers estándar. Su encapsulado TO-247 facilita el montaje sobre disipadores y su combinación de parámetros lo hace versátil en diseños modernos de electrónica de potencia, desde proyectos de energía renovable hasta sistemas industriales de alta demanda eléctrica.

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El IRFP360 es un transistor MOSFET de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo eficiente de altas corrientes y voltajes. Este componente electrónico es la solución ideal para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un dispositivo confiable para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de energía renovable, control de motores y fuentes de alimentación conmutadas.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia y confiabilidad
• Canal N tipo enhancement mode para fácil control mediante señal positiva
• Baja resistencia en estado encendido (RDS(on) = 200mΩ) que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de drenador de 23 amperios
• Alta velocidad de conmutación para aplicaciones de frecuencias elevadas
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica
• Amplio rango de temperatura de operación para ambientes exigentes
• Protección contra avalancha para mayor robustez en condiciones adversas

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP360
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET HEXFET® de Potencia, Canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 400V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 200mΩ máximo
• Corriente de Drenador continua (ID): 23A a 25°C
• Disipación de potencia (PD): 280W a 25°C
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 23A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)
• Temperatura de operación: -55°C a +175°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Controladores de velocidad para motores DC y BLDC
• Convertidores DC-DC buck, boost y buck-boost
• Cargadores de baterías de alto rendimiento
• Sistemas de soldadura por arco e inductivos
• Amplificadores de audio clase D
• Control de cargas resistivas e inductivas industriales
• Prototipos y proyectos de robótica avanzada
• Sistemas de calefacción por inducción

El IRFP360 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Su combinación de alto voltaje, corriente robusta y baja resistencia en conducción lo convierte en un componente versátil y confiable. Ideal tanto para aplicaciones industriales como para proyectos maker y de prototipado. ¡Adquiere tu IRFP360 ahora y lleva tus diseños electrónicos al siguiente nivel con la calidad garantizada de International Rectifier! Envíos a toda Colombia.

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El IRFP260 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones de media y alta potencia. Con canal N, soporta tensiones de hasta 200V y corrientes de drenador de 46A, lo que lo hace adecuado para fuentes conmutadas, variadores de velocidad, inversores solares y etapas de potencia en equipos industriales. Su baja resistencia en conducción lo convierte en una opción técnicamente sólida cuando las pérdidas térmicas son un factor crítico de diseño.

Características principales

• Tensión máxima drenador-surtidor (VDSS) de 200V, apta para redes de alimentación industriales y circuitos de media tensión
• Corriente continua de drenador (ID) de 46A a 25°C, con capacidad de conducción sostenida bajo demanda continua
• Resistencia en conducción RDS(on) de 55mΩ, que minimiza las pérdidas por conducción y reduce el calentamiento del componente
• Potencia disipada máxima (PD) de 280W, gestionable con disipador externo estándar para empaque TO-247
• Tensión de compuerta (VGS) de ±20V, compatible con la mayoría de controladores PWM y circuitos de disparo convencionales
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR) de 46A, que aporta robustez ante picos transitorios en cargas inductivas

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tipo de canal: N
• Tecnología: HEXFET®
• VDSS – Tensión drenador-surtidor: 200V
• ID – Corriente de drenador: 46A
• RDS(on) – Resistencia en conducción: 55mΩ
• PD – Potencia disipada máxima: 280W
• VGS – Tensión de compuerta: ±20V
• IAR – Corriente de avalancha repetitiva: 46A
• Empaque: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media y alta potencia
• Variadores de frecuencia y controladores de motores de corriente continua e inducción
• Inversores solares fotovoltaicos y sistemas de almacenamiento de energía
• Cargadores de baterías industriales y sistemas UPS de respaldo
• Convertidores DC-DC tipo boost, buck y flyback en electrónica de potencia
• Etapas de salida en amplificadores de clase D y audio profesional de alta potencia

El IRFP260 es una opción técnicamente robusta para ingenieros y técnicos que trabajan en diseños de electrónica de potencia donde la eficiencia de conducción, la disipación térmica controlada y la resistencia ante transitorios son requisitos fundamentales. Su empaque TO-247 facilita el montaje sobre disipador y su perfil eléctrico lo posiciona como un componente versátil en proyectos que exigen operación estable bajo ciclos de trabajo continuos y cargas inductivas exigentes.

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El IRFP150 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de alta corriente y conmutación rápida. Este componente electrónico es esencial para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control de motores, fuentes conmutadas y aplicaciones industriales que requieren manejo eficiente de cargas de hasta 42 amperios con voltajes de hasta 100V. Su baja resistencia en conducción de apenas 36 miliohmios lo convierte en una excelente opción para minimizar pérdidas de energía y mejorar la eficiencia de tus circuitos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para mayor confiabilidad y desempeño
• Baja resistencia RDS(on) de 36mΩ que reduce el calentamiento y mejora la eficiencia energética
• Capacidad de corriente continua de drenador de 42A para aplicaciones de alta potencia
• Encapsulado TO-247 que facilita la disipación de calor y montaje en disipadores
• Diseño robusto con corriente de avalancha de 22A para protección en picos de corriente
• Potencia de disipación de 160W para aplicaciones industriales exigentes
• Excelente velocidad de conmutación para fuentes PWM y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFP150
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 100V
• Resistencia Drenador-Fuente (RDS(on)): 36mΩ
• Corriente de Drenador (ID): 42A continua
• Potencia de Disipación (PD): 160W
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de Avalancha (IAR): 22A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Amplificadores de audio clase D
• Inversores de corriente para sistemas solares
• Controladores PWM para iluminación LED de potencia
• Sistemas de carga de baterías de litio
• Drivers para bobinas y electroimanes industriales
• Prototipos y proyectos de electrónica de potencia

Adquiere tu IRFP150 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel. Este MOSFET de canal N es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers en Colombia que buscan componentes confiables y de alto rendimiento. Aprovecha su excelente relación calidad-precio y recibe asesoría técnica especializada para tu aplicación. ¡Compra hoy y potencia tus diseños electrónicos!

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