El IRFP90N20D es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñado para manejar altas corrientes y tensiones en aplicaciones de electrónica de potencia. Con una tensión drenador-fuente de 200V y una corriente de drenador de 94A, el IRFP90N20D ofrece baja resistencia de conducción y alta capacidad de disipación, lo que lo convierte en una solución robusta para circuitos que exigen conmutación eficiente en entornos industriales, de telecomunicaciones y energías renovables.

Características principales

• Resistencia de encendido RDS(on) de solo 23mΩ, minimizando pérdidas por conducción y generación de calor
• Corriente de drenador continua de 94A, apta para cargas de potencia elevada sin degradación del dispositivo
• Disipación de potencia de 580W en encapsulado TO-247, con excelente transferencia térmica hacia el disipador
• Tensión drenador-fuente VDSS de 200V, adecuada para circuitos de media tensión en aplicaciones industriales
• Tensión de puerta VGS de ±30V, compatible con la mayoría de drivers de compuerta estándar del mercado
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 56A, que aporta protección intrínseca ante transitorios de tensión

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tecnología: HEXFET®
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (VDSS): 200V
• Corriente de drenador (ID): 94A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 23mΩ
• Disipación de potencia (PD): 580W
• Tensión de puerta (VGS): ±30V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 56A
• Encapsulado: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia en equipos industriales y telecomunicaciones
• Inversores de corriente para sistemas fotovoltaicos, UPS y respaldo energético
• Control de velocidad de motores DC y etapas de potencia en variadores de frecuencia
• Cargadores de baterías industriales y sistemas de almacenamiento de energía
• Convertidores DC-DC de alta eficiencia en topologías buck, boost y puente completo
• Accionamientos industriales y etapas de salida en amplificadores de audio de alta potencia

El IRFP90N20D es la elección indicada para ingenieros y técnicos que requieren un MOSFET de potencia con baja impedancia de conducción, alta robustez térmica y compatibilidad con drivers estándar. Su encapsulado TO-247 facilita el montaje sobre disipadores y su combinación de parámetros lo hace versátil en diseños modernos de electrónica de potencia, desde proyectos de energía renovable hasta sistemas industriales de alta demanda eléctrica.

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