El IRF840 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo de altas tensiones. Este componente electrónico es fundamental en proyectos de electrónica de potencia, control de motores DC, fuentes conmutadas y circuitos inversores, ofreciendo excelente rendimiento y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de solo 0.850Ω, minimizando pérdidas por calor
• Alta velocidad de conmutación ideal para PWM y control de frecuencia
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil montaje en disipador
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y DIY
• Amplio rango de temperatura de operación

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRF840
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drain-Source (VDSS): 500V
• Corriente de Drain continua (ID): 8A
• Resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on)): 0.850Ω
• Encapsulado: TO-220
• Configuración: Canal N enhancement mode

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC de media y alta potencia
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
• Circuitos inversores para sistemas de energía solar
• Controladores PWM para iluminación LED de alta potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Sistemas de control industrial y automatización
• Amplificadores de audio clase D
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores

El MOSFET IRF840 es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su disponibilidad inmediata y precio competitivo lo convierten en una opción ideal para prototipos y producción. ¡Adquiere tu IRF840 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel!

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El IRF510 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con tecnología HEXFET® por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida y control de cargas de mediana potencia. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos con Arduino, ESP32, Raspberry Pi y sistemas de automatización industrial gracias a su excelente relación entre resistencia de encendido y capacidad de corriente.

Con su encapsulado TO-220AB, el IRF510 ofrece una solución robusta y confiable para ingenieros, técnicos electrónicos, makers y estudiantes que requieren controlar motores DC, cargas inductivas, fuentes conmutadas o sistemas de iluminación LED de alta potencia desde microcontroladores y circuitos lógicos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de encendido RDS(on) de 0.54Ω minimiza pérdidas de potencia
• Encapsulado TO-220AB con disipador integrado para fácil montaje
• Conmutación rápida ideal para fuentes switching y PWM
• Compatible con lógica de 5V y 3.3V mediante circuitos driver apropiados
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos electrónicos
• Ampliamente disponible y con documentación técnica completa

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRF510
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Tensión Drenaje-Fuente (VDSS): 100V
• Corriente de Drenaje continua (ID): 5.6A
• Resistencia Drenaje-Fuente en conducción RDS(on): 0.54Ω máximo
• Disipación de potencia (PD): 43W
• Tensión Gate-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 5.6A
• Encapsulado: TO-220AB

Aplicaciones

• Control de motores DC de hasta 5A con Arduino, ESP32 o PIC
• Fuentes de alimentación conmutadas (switching) de mediana potencia
• Inversores DC-AC y convertidores Buck/Boost
• Control PWM para regulación de velocidad de motores
• Drivers para tiras LED y iluminación de alta potencia
• Automatización industrial y domótica
• Proyectos educativos de electrónica de potencia
• Prototipos y desarrollos en robótica móvil
• Sistemas de carga de baterías controlados

El MOSFET IRF510 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica en Colombia. Su disponibilidad inmediata, precio competitivo de $2,800 COP y características técnicas superiores lo convierten en un componente esencial para cualquier banco de trabajo electrónico. Adquiere ahora tu IRF510 y lleva tus proyectos al siguiente nivel con componentes originales de International Rectifier.

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El IRFZ14 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñada para lograr baja resistencia de encendido y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 60V y una corriente de drenador de 10A, el IRFZ14 es una opción confiable para circuitos de control de potencia, accionamiento de motores DC, fuentes conmutadas y reguladores de carga. Su empaque TO-220 facilita la disipación de calor y el montaje en radiadores o directamente sobre tarjetas de circuito impreso.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier, optimizada para baja resistencia en estado de conducción y conmutación rápida
• Tensión drenador-fuente (V_DSS) de 60V, adecuada para sistemas de 12V, 24V y 48V
• Resistencia de encendido R_DS(on) de 200mΩ, que reduce las pérdidas por conducción y el calentamiento del componente
• Corriente de drenador continua (I_D) de 10A, suficiente para cargas de potencia media
• Disipación máxima de potencia (P_D) de 43W en empaque TO-220 con disipador térmico adecuado
• Tensión de compuerta (V_GS) de ±20V, compatible con drivers de compuerta estándar y señales de 10V a 15V

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (V_DSS): 60V
• Corriente de drenador continua (I_D): 10A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (R_DS(on)): 200mΩ
• Disipación de potencia (P_D): 43W
• Tensión de compuerta (V_GS): ±20V
• Empaque: TO-220

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC en robótica, drones y automatización industrial
• Conmutación en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de baja y media potencia
• Reguladores de carga para paneles solares y sistemas de batería de 12V o 24V
• Accionamiento de cargas inductivas como solenoides, relés, bobinas y electroválvulas
• Circuitos de protección y corte electrónico de corriente en sistemas embebidos
• Etapas de potencia en inversores, variadores y convertidores DC-DC

El IRFZ14 es una solución robusta y ampliamente probada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET de potencia canal N confiable en proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de tensión de trabajo de 60V, corriente de 10A y baja resistencia de conducción lo hace ideal tanto para prototipos de laboratorio como para producción en serie, en aplicaciones industriales, automotrices y de consumo que operen con tensiones de hasta 60V.

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El IRFP90N20D es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñado para manejar altas corrientes y tensiones en aplicaciones de electrónica de potencia. Con una tensión drenador-fuente de 200V y una corriente de drenador de 94A, el IRFP90N20D ofrece baja resistencia de conducción y alta capacidad de disipación, lo que lo convierte en una solución robusta para circuitos que exigen conmutación eficiente en entornos industriales, de telecomunicaciones y energías renovables.

Características principales

• Resistencia de encendido RDS(on) de solo 23mΩ, minimizando pérdidas por conducción y generación de calor
• Corriente de drenador continua de 94A, apta para cargas de potencia elevada sin degradación del dispositivo
• Disipación de potencia de 580W en encapsulado TO-247, con excelente transferencia térmica hacia el disipador
• Tensión drenador-fuente VDSS de 200V, adecuada para circuitos de media tensión en aplicaciones industriales
• Tensión de puerta VGS de ±30V, compatible con la mayoría de drivers de compuerta estándar del mercado
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 56A, que aporta protección intrínseca ante transitorios de tensión

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tecnología: HEXFET®
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (VDSS): 200V
• Corriente de drenador (ID): 94A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 23mΩ
• Disipación de potencia (PD): 580W
• Tensión de puerta (VGS): ±30V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 56A
• Encapsulado: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia en equipos industriales y telecomunicaciones
• Inversores de corriente para sistemas fotovoltaicos, UPS y respaldo energético
• Control de velocidad de motores DC y etapas de potencia en variadores de frecuencia
• Cargadores de baterías industriales y sistemas de almacenamiento de energía
• Convertidores DC-DC de alta eficiencia en topologías buck, boost y puente completo
• Accionamientos industriales y etapas de salida en amplificadores de audio de alta potencia

El IRFP90N20D es la elección indicada para ingenieros y técnicos que requieren un MOSFET de potencia con baja impedancia de conducción, alta robustez térmica y compatibilidad con drivers estándar. Su encapsulado TO-247 facilita el montaje sobre disipadores y su combinación de parámetros lo hace versátil en diseños modernos de electrónica de potencia, desde proyectos de energía renovable hasta sistemas industriales de alta demanda eléctrica.

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El IRF1010E es un transistor MOSFET de potencia canal N de la familia HEXFET de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta eficiencia. Con una resistencia de conducción extremadamente baja de 15 mΩ y una corriente de drenaje de hasta 80 A, el IRF1010E es una solución robusta para circuitos que exigen baja disipación y respuesta rápida. Se emplea ampliamente en fuentes conmutadas, variadores de velocidad, cargadores de batería y sistemas de gestión de energía.

Características principales

• Resistencia de conducción RDS(on) de tan solo 15 mΩ, lo que minimiza las pérdidas por conducción incluso a corrientes elevadas
• Corriente de drenaje continua ID de 80 A, apta para cargas industriales y de potencia media-alta
• Disipación máxima de potencia PD de 260 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
• Tensión gate-source VGS de ±20 V, compatible con drivers estándar de 10 V y 15 V
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 45 A, con protección ante transitorios de tensión
• Tecnología HEXFET de International Rectifier, reconocida por su fiabilidad en ambientes industriales exigentes

Especificaciones técnicas

• Tipo de canal: N
• Tensión drenaje-fuente VDSS: 100 V
• Corriente de drenaje ID: 80 A
• Resistencia de conducción RDS(on): 15 mΩ
• Disipación de potencia PD: 260 W
• Tensión gate-source VGS: ±20 V
• Corriente de avalancha IAR: 45 A
• Empaque: TO-220
• Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Variadores de velocidad para motores DC y trifásicos
• Cargadores de baterías de litio y plomo-ácido
• Convertidores DC-DC tipo buck y boost
• Inversores solares y sistemas de energía renovable
• Circuitos de control de potencia en equipos industriales y automotrices

El IRF1010E es una opción técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que necesitan un MOSFET de potencia confiable, con baja resistencia de conducción y alta capacidad de corriente en un empaque TO-220 fácil de montar. Su combinación de parámetros lo hace especialmente indicado para etapas de conmutación en sistemas embebidos de media y alta potencia, prototipos industriales y diseños de electrónica de potencia donde la eficiencia térmica es crítica.

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El MOSFET de potencia canal N 400V TO-220 de International Rectifier es un transistor de efecto de campo diseñado para aplicaciones de conmutación de media y alta tensión. Gracias a su tensión de ruptura de 400 V y su capacidad de conducir hasta 5.5 A de corriente de drenador, este componente es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, inversores y etapas de potencia donde se requiere control electrónico eficiente de cargas inductivas o resistivas. Su encapsulado TO-220 facilita la disipación de calor mediante disipadores estándar disponibles en el mercado.

Características principales

• Tensión drenador-fuente (V_DSS) de 400 V, apta para redes de corriente alterna rectificada y buses de alta tensión
• Corriente de drenador (I_D) de 5.5 A en régimen continuo, con margen para picos de corriente de avalancha (I_AR) de 5.5 A
• Tensión de compuerta (V_GS) de ±30 V, compatible con drivers de compuerta estándar de 5 V a 15 V
• Disipación máxima de potencia (P_D) de 74 W con disipador adecuado, lo que permite operación continua en aplicaciones de potencia media
• Encapsulado TO-220 con terminal de montaje para disipador, garantizando una gestión térmica eficaz
• Fabricado por International Rectifier, referente mundial en semiconductores de potencia

Especificaciones técnicas

• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente máxima (V_DSS): 400 V
• Corriente de drenador continua (I_D): 5.5 A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (R_DS(on)): 5.5 Ω
• Disipación de potencia máxima (P_D): 74 W
• Tensión compuerta-fuente (V_GS): ±30 V
• Corriente de avalancha repetitiva (I_AR): 5.5 A
• Encapsulado: TO-220
• Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) en topologías flyback, forward y half-bridge
• Convertidores DC-DC de alta tensión para equipos industriales y de telecomunicaciones
• Inversores de pequeña potencia para sistemas de energía solar y UPS
• Control de motores DC en aplicaciones de automatización y robótica
• Reguladores de potencia y dimmers electrónicos de alta tensión
• Etapas de salida en amplificadores de audio clase D y circuitos resonantes

El MOSFET de potencia canal N 400V TO-220 de International Rectifier es una opción sólida para ingenieros, técnicos y diseñadores que trabajan con circuitos de conmutación de media tensión. Su combinación de alta tensión de ruptura, corriente de drenador útil y encapsulado TO-220 lo convierte en un componente versátil para prototipado y producción en serie. Este MOSFET de potencia es especialmente adecuado para quienes buscan un transistor confiable de una marca reconocida para sus diseños de electrónica de potencia.

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El IRF540N es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET, diseñada para ofrecer baja resistencia en conducción y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 100 V y una corriente de drenador de 33 A, el IRF540N es una de las referencias más utilizadas en electrónica de potencia tanto a nivel profesional como en proyectos de desarrollo. Su empaque TO-220 facilita el montaje sobre disipadores estándar, permitiendo una gestión térmica adecuada en circuitos de alta potencia.

Características principales

• Resistencia de conducción R DS(on) de 44 mΩ, que reduce al mínimo las pérdidas por conducción en circuitos de alta corriente
• Corriente de drenador continua de 33 A, apta para cargas de potencia considerable sin necesidad de paralelizar dispositivos
• Tensión gate-source V GS de ±20 V, compatible con señales de disparo de 5 V, 10 V y 12 V según el punto de operación
• Potencia de disipación de 130 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
• Corriente de avalancha repetitiva I AR de 16 A, que aporta robustez frente a picos inductivos transitorios
• Tecnología HEXFET de International Rectifier: estructura celular que optimiza la relación entre área de silicio y rendimiento eléctrico

Especificaciones técnicas

• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (V DSS): 100 V
• Corriente de drenador (I D): 33 A
• Resistencia en conducción (R DS(on)): 44 mΩ
• Potencia de disipación (P D): 130 W
• Tensión gate-source (V GS): ±20 V
• Corriente de avalancha repetitiva (I AR): 16 A
• Empaque: TO-220
• Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media y alta potencia
• Control de velocidad de motores DC mediante señales PWM
• Puentes H para conducción bidireccional de motores en robótica y automatización industrial
• Inversores y convertidores DC-DC en sistemas fotovoltaicos y de respaldo con baterías
• Circuitos de carga y descarga controlada de baterías de litio y plomo-ácido
• Etapas de salida en amplificadores clase D y otros diseños de alta eficiencia

El IRF540N es una referencia consolidada en electrónica de potencia, respaldada por décadas de uso en la industria y una extensa documentación de aplicación. Es la opción adecuada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET canal N robusto, con baja resistencia de conducción y capacidad para manejar corrientes elevadas en topologías de conmutación de uso frecuente.

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El IRF230 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo eficiente de cargas de alta corriente. Este componente electrónico de canal N es ideal para ingenieros, técnicos y estudiantes que trabajan en proyectos de electrónica de potencia, fuentes conmutadas, control de motores y sistemas de conversión de energía. Su robusta construcción en empaque TO-3 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en aplicaciones industriales y comerciales.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Canal N de alta velocidad de conmutación
• Baja resistencia en estado de conducción RDS(on) de 400mΩ
• Capacidad de corriente de drenaje continua de 9A
• Empaque TO-3 metálico para montaje en disipador
• Excelente relación precio-rendimiento para aplicaciones profesionales
• Alta confiabilidad y larga vida útil en operación continua

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRF230
• Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 400mΩ máximo
• Corriente de drenaje continua (ID): 9A
• Disipación de potencia (PD): 75W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 9A
• Tipo de empaque: TO-3
• Tipo de canal: N

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Controladores de motores DC de media potencia
• Inversores de voltaje y convertidores DC-DC
• Sistemas de carga de baterías industriales
• Amplificadores de audio clase D
• Drivers para solenoides y relés de potencia
• Equipos de soldadura electrónica
• Control de iluminación LED de alta potencia
• Sistemas UPS y energía de respaldo

El IRF230 es la solución perfecta para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Con especificaciones técnicas probadas y confiabilidad respaldada por International Rectifier, este MOSFET te permitirá desarrollar circuitos eficientes y duraderos. Compra ahora tu IRF230 y lleva tus diseños electrónicos al siguiente nivel con un componente de calidad profesional a un excelente precio.

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