El IRFP250 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y media tensión. Con capacidad de manejar hasta 30 amperios de corriente continua y voltajes de hasta 200V, este componente es la solución ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, drivers de motor DC y sistemas de control de potencia. Su baja resistencia en estado ON de apenas 75 miliohms garantiza mínimas pérdidas por conducción y alta eficiencia energética.

Fabricado con tecnología HEXFET de International Rectifier, el IRFP250 ofrece excelente rendimiento térmico y capacidad de conmutación rápida, haciéndolo perfecto para circuitos PWM de alta frecuencia. Su robusto encapsulado TO-247 facilita la disipación de calor y permite montaje sencillo en disipadores térmicos estándar.

Características principales

• Tecnología HEXFET de alta eficiencia y confiabilidad
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de 75mΩ para mínimas pérdidas
• Capacidad de corriente continua de drenador de 30A
• Voltaje drenador-fuente de 200V para aplicaciones de media tensión
• Disipación de potencia de 214W con refrigeración adecuada
• Encapsulado TO-247 robusto y fácil de montar
• Tiempos de conmutación rápidos para aplicaciones de alta frecuencia
• Rango de voltaje compuerta-fuente de ±20V

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP250 / IRFP250N
• Tipo: MOSFET HEXFET de potencia, canal N
• Voltaje drenador-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenador-fuente en ON (RDS(on)): 75mΩ máximo
• Corriente continua de drenador (ID): 30A
• Corriente de avalancha (IAR): 30A
• Disipación de potencia (PD): 214W a 25°C
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media potencia
• Inversores DC-AC para sistemas solares y UPS
• Convertidores DC-DC Buck, Boost y Buck-Boost
• Drivers y controladores de motores DC brushless
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Sistemas de control PWM para iluminación LED de potencia
• Amplificadores de audio clase D
• Soldadoras por punto y sistemas de calentamiento por inducción
• Controladores de velocidad para motores industriales

El Mosfet IRFP250 es un componente esencial para diseñadores e ingenieros electrónicos que buscan rendimiento y confiabilidad en sus proyectos de potencia. Su excelente relación precio-desempeño lo convierte en la opción preferida para aplicaciones industriales, automotrices y de energías renovables. ¡Adquiere tu IRFP250 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel con un componente probado y confiable!

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El IRFP90N20D es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET®, diseñado para manejar altas corrientes y tensiones en aplicaciones de electrónica de potencia. Con una tensión drenador-fuente de 200V y una corriente de drenador de 94A, el IRFP90N20D ofrece baja resistencia de conducción y alta capacidad de disipación, lo que lo convierte en una solución robusta para circuitos que exigen conmutación eficiente en entornos industriales, de telecomunicaciones y energías renovables.

Características principales

• Resistencia de encendido RDS(on) de solo 23mΩ, minimizando pérdidas por conducción y generación de calor
• Corriente de drenador continua de 94A, apta para cargas de potencia elevada sin degradación del dispositivo
• Disipación de potencia de 580W en encapsulado TO-247, con excelente transferencia térmica hacia el disipador
• Tensión drenador-fuente VDSS de 200V, adecuada para circuitos de media tensión en aplicaciones industriales
• Tensión de puerta VGS de ±30V, compatible con la mayoría de drivers de compuerta estándar del mercado
• Corriente de avalancha repetitiva IAR de 56A, que aporta protección intrínseca ante transitorios de tensión

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tecnología: HEXFET®
• Tipo de canal: N
• Tensión drenador-fuente (VDSS): 200V
• Corriente de drenador (ID): 94A
• Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 23mΩ
• Disipación de potencia (PD): 580W
• Tensión de puerta (VGS): ±30V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 56A
• Encapsulado: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia en equipos industriales y telecomunicaciones
• Inversores de corriente para sistemas fotovoltaicos, UPS y respaldo energético
• Control de velocidad de motores DC y etapas de potencia en variadores de frecuencia
• Cargadores de baterías industriales y sistemas de almacenamiento de energía
• Convertidores DC-DC de alta eficiencia en topologías buck, boost y puente completo
• Accionamientos industriales y etapas de salida en amplificadores de audio de alta potencia

El IRFP90N20D es la elección indicada para ingenieros y técnicos que requieren un MOSFET de potencia con baja impedancia de conducción, alta robustez térmica y compatibilidad con drivers estándar. Su encapsulado TO-247 facilita el montaje sobre disipadores y su combinación de parámetros lo hace versátil en diseños modernos de electrónica de potencia, desde proyectos de energía renovable hasta sistemas industriales de alta demanda eléctrica.

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El IRFP260 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones de media y alta potencia. Con canal N, soporta tensiones de hasta 200V y corrientes de drenador de 46A, lo que lo hace adecuado para fuentes conmutadas, variadores de velocidad, inversores solares y etapas de potencia en equipos industriales. Su baja resistencia en conducción lo convierte en una opción técnicamente sólida cuando las pérdidas térmicas son un factor crítico de diseño.

Características principales

• Tensión máxima drenador-surtidor (VDSS) de 200V, apta para redes de alimentación industriales y circuitos de media tensión
• Corriente continua de drenador (ID) de 46A a 25°C, con capacidad de conducción sostenida bajo demanda continua
• Resistencia en conducción RDS(on) de 55mΩ, que minimiza las pérdidas por conducción y reduce el calentamiento del componente
• Potencia disipada máxima (PD) de 280W, gestionable con disipador externo estándar para empaque TO-247
• Tensión de compuerta (VGS) de ±20V, compatible con la mayoría de controladores PWM y circuitos de disparo convencionales
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR) de 46A, que aporta robustez ante picos transitorios en cargas inductivas

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Tipo de canal: N
• Tecnología: HEXFET®
• VDSS – Tensión drenador-surtidor: 200V
• ID – Corriente de drenador: 46A
• RDS(on) – Resistencia en conducción: 55mΩ
• PD – Potencia disipada máxima: 280W
• VGS – Tensión de compuerta: ±20V
• IAR – Corriente de avalancha repetitiva: 46A
• Empaque: TO-247

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media y alta potencia
• Variadores de frecuencia y controladores de motores de corriente continua e inducción
• Inversores solares fotovoltaicos y sistemas de almacenamiento de energía
• Cargadores de baterías industriales y sistemas UPS de respaldo
• Convertidores DC-DC tipo boost, buck y flyback en electrónica de potencia
• Etapas de salida en amplificadores de clase D y audio profesional de alta potencia

El IRFP260 es una opción técnicamente robusta para ingenieros y técnicos que trabajan en diseños de electrónica de potencia donde la eficiencia de conducción, la disipación térmica controlada y la resistencia ante transitorios son requisitos fundamentales. Su empaque TO-247 facilita el montaje sobre disipador y su perfil eléctrico lo posiciona como un componente versátil en proyectos que exigen operación estable bajo ciclos de trabajo continuos y cargas inductivas exigentes.

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El IRF230 es un transistor MOSFET de potencia tipo HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo eficiente de cargas de alta corriente. Este componente electrónico de canal N es ideal para ingenieros, técnicos y estudiantes que trabajan en proyectos de electrónica de potencia, fuentes conmutadas, control de motores y sistemas de conversión de energía. Su robusta construcción en empaque TO-3 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en aplicaciones industriales y comerciales.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Canal N de alta velocidad de conmutación
• Baja resistencia en estado de conducción RDS(on) de 400mΩ
• Capacidad de corriente de drenaje continua de 9A
• Empaque TO-3 metálico para montaje en disipador
• Excelente relación precio-rendimiento para aplicaciones profesionales
• Alta confiabilidad y larga vida útil en operación continua

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRF230
• Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 400mΩ máximo
• Corriente de drenaje continua (ID): 9A
• Disipación de potencia (PD): 75W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 9A
• Tipo de empaque: TO-3
• Tipo de canal: N

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Controladores de motores DC de media potencia
• Inversores de voltaje y convertidores DC-DC
• Sistemas de carga de baterías industriales
• Amplificadores de audio clase D
• Drivers para solenoides y relés de potencia
• Equipos de soldadura electrónica
• Control de iluminación LED de alta potencia
• Sistemas UPS y energía de respaldo

El IRF230 es la solución perfecta para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Con especificaciones técnicas probadas y confiabilidad respaldada por International Rectifier, este MOSFET te permitirá desarrollar circuitos eficientes y duraderos. Compra ahora tu IRF230 y lleva tus diseños electrónicos al siguiente nivel con un componente de calidad profesional a un excelente precio.

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