MOSFET 100V – Sigma Electrónica https://www.sigmaelectronica.net Componentes Electrónicos Wed, 20 May 2026 19:54:45 +0000 es hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.4 https://www.sigmaelectronica.net/wp-content/uploads/2016/12/cropped-favicon-1-32x32.png MOSFET 100V – Sigma Electrónica https://www.sigmaelectronica.net 32 32 IRF8010 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:35:32 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/ MOSFET HEXFET canal N IRF1010E de 100V y 80A en empaque TO-220, diseñado para conmutación de alta corriente en fuentes y variadores.

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]]> MOSFET de Potencia IRF1010E Canal N — International Rectifier

El IRF1010E es un transistor MOSFET de potencia canal N de la familia HEXFET de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta eficiencia. Con una resistencia de conducción extremadamente baja de 15 mΩ y una corriente de drenaje de hasta 80 A, el IRF1010E es una solución robusta para circuitos que exigen baja disipación y respuesta rápida. Se emplea ampliamente en fuentes conmutadas, variadores de velocidad, cargadores de batería y sistemas de gestión de energía.

Características principales

  • Resistencia de conducción RDS(on) de tan solo 15 mΩ, lo que minimiza las pérdidas por conducción incluso a corrientes elevadas
  • Corriente de drenaje continua ID de 80 A, apta para cargas industriales y de potencia media-alta
  • Disipación máxima de potencia PD de 260 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
  • Tensión gate-source VGS de ±20 V, compatible con drivers estándar de 10 V y 15 V
  • Corriente de avalancha repetitiva IAR de 45 A, con protección ante transitorios de tensión
  • Tecnología HEXFET de International Rectifier, reconocida por su fiabilidad en ambientes industriales exigentes

Especificaciones técnicas

  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenaje-fuente VDSS: 100 V
  • Corriente de drenaje ID: 80 A
  • Resistencia de conducción RDS(on): 15 mΩ
  • Disipación de potencia PD: 260 W
  • Tensión gate-source VGS: ±20 V
  • Corriente de avalancha IAR: 45 A
  • Empaque: TO-220
  • Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
  • Variadores de velocidad para motores DC y trifásicos
  • Cargadores de baterías de litio y plomo-ácido
  • Convertidores DC-DC tipo buck y boost
  • Inversores solares y sistemas de energía renovable
  • Circuitos de control de potencia en equipos industriales y automotrices

El IRF1010E es una opción técnicamente sólida para ingenieros y diseñadores que necesitan un MOSFET de potencia confiable, con baja resistencia de conducción y alta capacidad de corriente en un empaque TO-220 fácil de montar. Su combinación de parámetros lo hace especialmente indicado para etapas de conmutación en sistemas embebidos de media y alta potencia, prototipos industriales y diseños de electrónica de potencia donde la eficiencia térmica es crítica.

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]]> https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf8010/feed/ 0 IRF540N https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/ https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/#respond Tue, 03 Jun 2008 13:32:04 +0000 https://www.sigmaelectronica.net/producto/irf540n/ IRF540N: MOSFET de potencia canal N, 100V, 33A, RDS(on) 44mΩ. Para conmutación de alta corriente en fuentes, motores e inversores.

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]]> IRF540N – MOSFET de Potencia Canal N HEXFET

El IRF540N es un transistor MOSFET de potencia canal N fabricado por International Rectifier bajo la tecnología HEXFET, diseñada para ofrecer baja resistencia en conducción y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación. Con una tensión de ruptura de 100 V y una corriente de drenador de 33 A, el IRF540N es una de las referencias más utilizadas en electrónica de potencia tanto a nivel profesional como en proyectos de desarrollo. Su empaque TO-220 facilita el montaje sobre disipadores estándar, permitiendo una gestión térmica adecuada en circuitos de alta potencia.

Características principales

  • Resistencia de conducción R DS(on) de 44 mΩ, que reduce al mínimo las pérdidas por conducción en circuitos de alta corriente
  • Corriente de drenador continua de 33 A, apta para cargas de potencia considerable sin necesidad de paralelizar dispositivos
  • Tensión gate-source V GS de ±20 V, compatible con señales de disparo de 5 V, 10 V y 12 V según el punto de operación
  • Potencia de disipación de 130 W en empaque TO-220 con disipador adecuado
  • Corriente de avalancha repetitiva I AR de 16 A, que aporta robustez frente a picos inductivos transitorios
  • Tecnología HEXFET de International Rectifier: estructura celular que optimiza la relación entre área de silicio y rendimiento eléctrico

Especificaciones técnicas

  • Tipo de canal: N
  • Tensión drenador-fuente (V DSS): 100 V
  • Corriente de drenador (I D): 33 A
  • Resistencia en conducción (R DS(on)): 44 mΩ
  • Potencia de disipación (P D): 130 W
  • Tensión gate-source (V GS): ±20 V
  • Corriente de avalancha repetitiva (I AR): 16 A
  • Empaque: TO-220
  • Fabricante: International Rectifier

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de media y alta potencia
  • Control de velocidad de motores DC mediante señales PWM
  • Puentes H para conducción bidireccional de motores en robótica y automatización industrial
  • Inversores y convertidores DC-DC en sistemas fotovoltaicos y de respaldo con baterías
  • Circuitos de carga y descarga controlada de baterías de litio y plomo-ácido
  • Etapas de salida en amplificadores clase D y otros diseños de alta eficiencia

El IRF540N es una referencia consolidada en electrónica de potencia, respaldada por décadas de uso en la industria y una extensa documentación de aplicación. Es la opción adecuada para ingenieros, técnicos y diseñadores que requieren un MOSFET canal N robusto, con baja resistencia de conducción y capacidad para manejar corrientes elevadas en topologías de conmutación de uso frecuente.

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