El IRFP150 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de alta corriente y conmutación rápida. Este componente electrónico es esencial para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control de motores, fuentes conmutadas y aplicaciones industriales que requieren manejo eficiente de cargas de hasta 42 amperios con voltajes de hasta 100V. Su baja resistencia en conducción de apenas 36 miliohmios lo convierte en una excelente opción para minimizar pérdidas de energía y mejorar la eficiencia de tus circuitos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para mayor confiabilidad y desempeño
• Baja resistencia RDS(on) de 36mΩ que reduce el calentamiento y mejora la eficiencia energética
• Capacidad de corriente continua de drenador de 42A para aplicaciones de alta potencia
• Encapsulado TO-247 que facilita la disipación de calor y montaje en disipadores
• Diseño robusto con corriente de avalancha de 22A para protección en picos de corriente
• Potencia de disipación de 160W para aplicaciones industriales exigentes
• Excelente velocidad de conmutación para fuentes PWM y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFP150
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 100V
• Resistencia Drenador-Fuente (RDS(on)): 36mΩ
• Corriente de Drenador (ID): 42A continua
• Potencia de Disipación (PD): 160W
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de Avalancha (IAR): 22A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Amplificadores de audio clase D
• Inversores de corriente para sistemas solares
• Controladores PWM para iluminación LED de potencia
• Sistemas de carga de baterías de litio
• Drivers para bobinas y electroimanes industriales
• Prototipos y proyectos de electrónica de potencia

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