El FDL100N50F es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por Fairchild, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Con capacidad de manejar hasta 500V y 100A, este componente es ideal para proyectos de electrónica de potencia donde se requiere conmutación eficiente y control preciso de cargas pesadas. Su robusto empaque TO-264 garantiza excelente disipación térmica y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Voltaje drain-source (VDSS) de 500V para aplicaciones de alta tensión
• Corriente continua de drenador (ID) de 100A a 25°C
• Disipación de potencia de 2500W a 25°C
• Voltaje gate-source (VGSS) de ±30V para control versátil
• Empaque TO-264 optimizado para montaje en disipadores de calor
• Baja resistencia en estado activo para mínimas pérdidas
• Tecnología MOSFET de canal N para conmutación rápida
• Excelente estabilidad térmica y alta eficiencia energética

Especificaciones técnicas

• Modelo: FDL100N50F
• Fabricante: Fairchild Semiconductor
• Tipo: MOSFET Canal N
• Voltaje drain-source máximo (VDSS): 500V
• Voltaje gate-source (VGSS): ±30V
• Corriente de drenador continua (ID): 100A a 25°C
• Potencia disipada (PD): 2500W a 25°C
• Empaque: TO-264
• Configuración: 3 terminales (Gate, Drain, Source)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Control de motores DC y AC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Sistemas de soldadura por inversor
• Cargadores de baterías industriales
• Equipos de tracción eléctrica
• Amplificadores de audio clase D de alta potencia
• Sistemas de calefacción por inducción
• Variadores de frecuencia industriales

El FDL100N50F es la solución perfecta para ingenieros y técnicos que buscan un MOSFET confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su combinación de alta tensión, corriente robusta y excelente capacidad de disipación lo convierten en un componente esencial para aplicaciones industriales y profesionales. ¡Adquiere tu FDL100N50F ahora y lleva tus proyectos de potencia al siguiente nivel! Disponible con envío a toda Colombia.

Compartir

The post FDL100N50F appeared first on Sigma Electrónica.

El IRF840 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por International Rectifier con tecnología HEXFET®, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo de altas tensiones. Este componente electrónico es fundamental en proyectos de electrónica de potencia, control de motores DC, fuentes conmutadas y circuitos inversores, ofreciendo excelente rendimiento y confiabilidad en condiciones exigentes.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia en conducción RDS(on) de solo 0.850Ω, minimizando pérdidas por calor
• Alta velocidad de conmutación ideal para PWM y control de frecuencia
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil montaje en disipador
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos profesionales y DIY
• Amplio rango de temperatura de operación

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRF840
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drain-Source (VDSS): 500V
• Corriente de Drain continua (ID): 8A
• Resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on)): 0.850Ω
• Encapsulado: TO-220
• Configuración: Canal N enhancement mode

Aplicaciones

• Control de velocidad de motores DC de media y alta potencia
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
• Circuitos inversores para sistemas de energía solar
• Controladores PWM para iluminación LED de alta potencia
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Sistemas de control industrial y automatización
• Amplificadores de audio clase D
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores

El MOSFET IRF840 es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos de electrónica de potencia. Su disponibilidad inmediata y precio competitivo lo convierten en una opción ideal para prototipos y producción. ¡Adquiere tu IRF840 ahora y lleva tus proyectos al siguiente nivel!

Compartir

The post IRF840 appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFP22N50A es un transistor Mosfet de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión y corriente. Este componente electrónico de última generación ofrece un rendimiento excepcional en conmutación rápida, baja resistencia en conducción y alta capacidad de manejo de potencia, convirtiéndolo en la solución ideal para proyectos profesionales y aplicaciones industriales que demandan eficiencia y confiabilidad.

Características principales

• Tecnología HEXFET® avanzada de International Rectifier que garantiza máxima eficiencia
• Canal N de alta velocidad de conmutación para aplicaciones críticas
• Resistencia drain-source ultra baja de 0.23Ω que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de 22 amperios para cargas exigentes
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica y fácil montaje
• Diseño robusto que asegura larga vida útil en condiciones extremas
• Compatible con drivers estándar de Mosfet para facilitar la implementación

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFP22N50A
• Voltaje Drain-Source (V_DSS): 500V
• Corriente de Drain (I_D): 22A continua
• Resistencia Drain-Source en conducción (R_DS(on)): 0.23Ω típica
• Disipación de potencia (P_D): 277W a 25°C
• Voltaje Gate-Source (V_GS): ±30V máximo
• Tipo de canal: N
• Encapsulado: TO-247AC (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta potencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y energía renovable
• Controladores de motores DC y sistemas de tracción eléctrica
• Convertidores DC-DC para aplicaciones industriales
• Balastos electrónicos para iluminación profesional
• Sistemas UPS y protección de energía
• Amplificadores de audio clase D de alta fidelidad
• Cargadores de baterías de alta corriente
• Equipos de soldadura por inversor
• Automatización industrial y control de cargas pesadas

El IRFP22N50A representa la mejor opción para ingenieros y técnicos en Colombia que buscan un Mosfet de potencia confiable y de alto rendimiento. Su excelente relación precio-calidad y especificaciones profesionales lo hacen perfecto tanto para prototipos como para producción en serie. ¡Adquiere tu IRFP22N50A ahora y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel con componentes de calidad internacional!

Compartir

The post IRFP22N50A appeared first on Sigma Electrónica.

El IRF510 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con tecnología HEXFET® por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida y control de cargas de mediana potencia. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos con Arduino, ESP32, Raspberry Pi y sistemas de automatización industrial gracias a su excelente relación entre resistencia de encendido y capacidad de corriente.

Con su encapsulado TO-220AB, el IRF510 ofrece una solución robusta y confiable para ingenieros, técnicos electrónicos, makers y estudiantes que requieren controlar motores DC, cargas inductivas, fuentes conmutadas o sistemas de iluminación LED de alta potencia desde microcontroladores y circuitos lógicos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de encendido RDS(on) de 0.54Ω minimiza pérdidas de potencia
• Encapsulado TO-220AB con disipador integrado para fácil montaje
• Conmutación rápida ideal para fuentes switching y PWM
• Compatible con lógica de 5V y 3.3V mediante circuitos driver apropiados
• Excelente relación costo-beneficio para proyectos electrónicos
• Ampliamente disponible y con documentación técnica completa

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRF510
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Tensión Drenaje-Fuente (VDSS): 100V
• Corriente de Drenaje continua (ID): 5.6A
• Resistencia Drenaje-Fuente en conducción RDS(on): 0.54Ω máximo
• Disipación de potencia (PD): 43W
• Tensión Gate-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 5.6A
• Encapsulado: TO-220AB

Aplicaciones

• Control de motores DC de hasta 5A con Arduino, ESP32 o PIC
• Fuentes de alimentación conmutadas (switching) de mediana potencia
• Inversores DC-AC y convertidores Buck/Boost
• Control PWM para regulación de velocidad de motores
• Drivers para tiras LED y iluminación de alta potencia
• Automatización industrial y domótica
• Proyectos educativos de electrónica de potencia
• Prototipos y desarrollos en robótica móvil
• Sistemas de carga de baterías controlados

El MOSFET IRF510 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica en Colombia. Su disponibilidad inmediata, precio competitivo de $2,800 COP y características técnicas superiores lo convierten en un componente esencial para cualquier banco de trabajo electrónico. Adquiere ahora tu IRF510 y lleva tus proyectos al siguiente nivel con componentes originales de International Rectifier.

Compartir

The post IRF510 appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFZ44N es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren alta eficiencia en conmutación y bajo consumo energético. Este componente electrónico es ampliamente utilizado en proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control y automatización industrial debido a su excelente relación entre resistencia en conducción y capacidad de corriente.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia
• Baja resistencia de conducción RDS(on) de solo 17.5mΩ, minimizando pérdidas por calor
• Alta capacidad de corriente continua de drenador de 49A
• Encapsulado TO-220 estándar, fácil de montar y disipar calor
• Excelente velocidad de conmutación para aplicaciones de alta frecuencia
• Protección contra corriente de avalancha de 25A
• Compatible con lógica de control de 5V y microcontroladores
• Ideal para diseños de fuentes conmutadas y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFZ44N
• Tipo: MOSFET HEXFET® de potencia, canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 55V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 17.5mΩ
• Corriente continua de drenador (ID): 49A
• Disipación de potencia (PD): 94W
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha (IAR): 25A
• Encapsulado: TO-220

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de mediana y alta potencia
• Inversores de voltaje DC-AC para sistemas solares
• Convertidores DC-DC buck y boost
• Drivers para cargas inductivas y resistivas
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de iluminación LED de potencia
• Cargadores de baterías inteligentes
• Automatización industrial y robótica
• Amplificadores de audio clase D

El MOSFET IRFZ44N es la solución perfecta para ingenieros, técnicos electrónicos, estudiantes y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un componente confiable y de alto rendimiento para sus proyectos. Su bajo costo y excelentes características lo convierten en una opción ideal tanto para prototipos como para producción. ¡Adquiere tu IRFZ44N hoy mismo y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel!

Compartir

The post IRFZ44N appeared first on Sigma Electrónica.

El TIP127 es un transistor Darlington epitaxial PNP de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren control de cargas elevadas y amplificación de corriente. Este componente electrónico es esencial en circuitos de potencia, sistemas de control de motores, fuentes de alimentación reguladas y proyectos de electrónica que demandan alta ganancia de corriente. Su encapsulado TO-220 facilita la disipación térmica y permite montaje sencillo con disipador de calor cuando se trabaja con cargas exigentes.

Gracias a su configuración Darlington, el TIP127 ofrece una ganancia de corriente excepcionalmente alta, lo que lo convierte en la solución perfecta para aplicaciones donde se necesita controlar corrientes significativas con señales de control mínimas. Es el complemento PNP del popular TIP122, ampliamente utilizado en la comunidad maker, proyectos con Arduino, automatización industrial y reparación de equipos electrónicos.

Características principales

• Transistor Darlington epitaxial de tipo PNP para control de cargas negativas
• Alta ganancia de corriente ideal para amplificación de señales débiles
• Encapsulado TO-220 estándar que facilita montaje en PCB y uso con disipadores
• Excelente relación precio-rendimiento para proyectos profesionales y educativos
• Compatible con circuitos de control digital y analógico
• Resistente y confiable para aplicaciones industriales y comerciales

Especificaciones técnicas

• Modelo: TIP127
• Tipo: Transistor Darlington Epitaxial PNP
• Tensión colector-base (Vcb): -100V
• Tensión colector-emisor (Vce): -100V
• Tensión emisor-base (Veb): -5V
• Corriente de colector máxima (Ic): -5A
• Potencia de disipación (Pc): 65W
• Encapsulado: TO-220
• Ganancia típica (hFE): 1000 mínimo

Aplicaciones

• Control de motores DC de mediana y alta potencia
• Fuentes de alimentación reguladas y circuitos de potencia
• Drivers para cargas inductivas como relés, solenoides y electroválvulas
• Amplificadores de audio de potencia clase AB
• Sistemas de iluminación LED de alta corriente
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y microcontroladores
• Circuitos de conmutación y switching de potencia
• Automatización industrial y domótica
• Reparación de fuentes de alimentación y equipos electrónicos

El transistor TIP127 es un componente indispensable en tu inventario de electrónica. Ya seas estudiante, maker, técnico o ingeniero, este transistor te brindará el rendimiento y confiabilidad que tus proyectos necesitan. ¡Adquiere tu TIP127 ahora y lleva tus circuitos de potencia al siguiente nivel! Contamos con envíos a toda Colombia y asesoría técnica para tus proyectos.

Compartir

The post TIP127 appeared first on Sigma Electrónica.

El TIP41C es un transistor bipolar NPN de potencia media diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos que requieren manejo de corrientes considerables. Con su robusto empaque TO-220, este componente se ha convertido en una opción confiable para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un semiconductor versátil y económico para sus proyectos.

Este transistor ofrece excelentes características eléctricas que lo hacen ideal para controlar cargas de potencia media, garantizando un rendimiento estable y duradero en condiciones de trabajo exigentes. Su diseño permite una fácil disipación de calor cuando se monta adecuadamente sobre un disipador térmico.

Características principales

• Transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de potencia media
• Empaque TO-220 que facilita el montaje y disipación térmica
• Alta ganancia de corriente que permite controlar cargas significativas con pequeñas señales de entrada
• Excelente relación precio-rendimiento para proyectos electrónicos
• Amplia disponibilidad y compatibilidad con diseños estándar de la industria
• Construcción robusta que garantiza larga vida útil

Especificaciones técnicas

• Tipo: Transistor NPN de potencia
• Voltaje colector-emisor (Vce): 100V
• Voltaje colector-base (Vcb): 100V
• Voltaje emisor-base (Veb): 5V
• Corriente de colector continua (Ic): 6A
• Potencia de disipación (Pc): 65W
• Empaque: TO-220 (ideal para montaje con disipador)
• Configuración: 3 terminales (Base, Colector, Emisor)

Aplicaciones

• Control de motores DC de potencia media
• Fuentes de alimentación reguladas y switching
• Amplificadores de audio de potencia
• Drivers para relés y solenoides
• Circuitos de conmutación PWM
• Inversores y convertidores DC-DC
• Proyectos con Arduino, Raspberry Pi y otros microcontroladores
• Sistemas de control industrial
• Automatización y robótica
• Reparación de equipos electrónicos

El transistor TIP41C es un componente esencial para tu taller o laboratorio de electrónica. Su versatilidad y confiabilidad lo convierten en una excelente inversión para estudiantes, makers, técnicos y profesionales. Aprovecha nuestro precio competitivo y añade este TIP41C a tu inventario de componentes electrónicos hoy mismo. ¡Ideal para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia!

Compartir

The post TIP41C appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFP360 es un transistor MOSFET de potencia de tecnología HEXFET® fabricado por International Rectifier, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo eficiente de altas corrientes y voltajes. Este componente electrónico es la solución ideal para ingenieros, técnicos y entusiastas de la electrónica en Colombia que buscan un dispositivo confiable para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de energía renovable, control de motores y fuentes de alimentación conmutadas.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para máxima eficiencia y confiabilidad
• Canal N tipo enhancement mode para fácil control mediante señal positiva
• Baja resistencia en estado encendido (RDS(on) = 200mΩ) que minimiza pérdidas por conducción
• Capacidad de corriente continua de drenador de 23 amperios
• Alta velocidad de conmutación para aplicaciones de frecuencias elevadas
• Encapsulado TO-247 con excelente disipación térmica
• Amplio rango de temperatura de operación para ambientes exigentes
• Protección contra avalancha para mayor robustez en condiciones adversas

Especificaciones técnicas

• Modelo: IRFP360
• Fabricante: International Rectifier
• Tipo: MOSFET HEXFET® de Potencia, Canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 400V
• Resistencia Drenador-Fuente en conducción (RDS(on)): 200mΩ máximo
• Corriente de Drenador continua (ID): 23A a 25°C
• Disipación de potencia (PD): 280W a 25°C
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de avalancha repetitiva (IAR): 23A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)
• Temperatura de operación: -55°C a +175°C

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Inversores de corriente para sistemas solares y UPS
• Controladores de velocidad para motores DC y BLDC
• Convertidores DC-DC buck, boost y buck-boost
• Cargadores de baterías de alto rendimiento
• Sistemas de soldadura por arco e inductivos
• Amplificadores de audio clase D
• Control de cargas resistivas e inductivas industriales
• Prototipos y proyectos de robótica avanzada
• Sistemas de calefacción por inducción

El IRFP360 es la elección perfecta para tus proyectos de electrónica de potencia en Colombia. Su combinación de alto voltaje, corriente robusta y baja resistencia en conducción lo convierte en un componente versátil y confiable. Ideal tanto para aplicaciones industriales como para proyectos maker y de prototipado. ¡Adquiere tu IRFP360 ahora y lleva tus diseños electrónicos al siguiente nivel con la calidad garantizada de International Rectifier! Envíos a toda Colombia.

Compartir

The post IRFP360 appeared first on Sigma Electrónica.

El IRFP150 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier, diseñado para aplicaciones de alta corriente y conmutación rápida. Este componente electrónico es esencial para proyectos de electrónica de potencia, sistemas de control de motores, fuentes conmutadas y aplicaciones industriales que requieren manejo eficiente de cargas de hasta 42 amperios con voltajes de hasta 100V. Su baja resistencia en conducción de apenas 36 miliohmios lo convierte en una excelente opción para minimizar pérdidas de energía y mejorar la eficiencia de tus circuitos.

Características principales

• Tecnología HEXFET® de International Rectifier para mayor confiabilidad y desempeño
• Baja resistencia RDS(on) de 36mΩ que reduce el calentamiento y mejora la eficiencia energética
• Capacidad de corriente continua de drenador de 42A para aplicaciones de alta potencia
• Encapsulado TO-247 que facilita la disipación de calor y montaje en disipadores
• Diseño robusto con corriente de avalancha de 22A para protección en picos de corriente
• Potencia de disipación de 160W para aplicaciones industriales exigentes
• Excelente velocidad de conmutación para fuentes PWM y convertidores DC-DC

Especificaciones técnicas

• Fabricante: International Rectifier
• Modelo: IRFP150
• Tipo: MOSFET de potencia canal N
• Voltaje Drenador-Fuente (VDSS): 100V
• Resistencia Drenador-Fuente (RDS(on)): 36mΩ
• Corriente de Drenador (ID): 42A continua
• Potencia de Disipación (PD): 160W
• Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
• Corriente de Avalancha (IAR): 22A
• Encapsulado: TO-247 (3 pines)

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de alta eficiencia
• Control de velocidad de motores DC de alta corriente
• Convertidores DC-DC elevadores y reductores
• Amplificadores de audio clase D
• Inversores de corriente para sistemas solares
• Controladores PWM para iluminación LED de potencia
• Sistemas de carga de baterías de litio
• Drivers para bobinas y electroimanes industriales
• Prototipos y proyectos de electrónica de potencia

Adquiere tu IRFP150 ahora y lleva tus proyectos de electrónica de potencia al siguiente nivel. Este MOSFET de canal N es la solución perfecta para ingenieros, técnicos y makers en Colombia que buscan componentes confiables y de alto rendimiento. Aprovecha su excelente relación calidad-precio y recibe asesoría técnica especializada para tu aplicación. ¡Compra hoy y potencia tus diseños electrónicos!

Compartir

The post IRFP150 appeared first on Sigma Electrónica.