La N82S123 es una memoria PROM (Programmable Read-Only Memory) bipolar de tecnología TTL diseñada para aplicaciones que requieren almacenamiento permanente de datos de alta velocidad. Con una capacidad de 256 bits organizados en una matriz eficiente, esta memoria programable es ideal para sistemas digitales, equipos industriales y proyectos de electrónica que necesitan retención de datos sin alimentación eléctrica. Su empaque 20PLCC facilita el montaje en placas de circuito impreso tanto en prototipado como en producción comercial.

Características principales

• Memoria PROM bipolar de 256 bits de capacidad total
• Tecnología TTL compatible con niveles lógicos estándar de 5V
• Empaque 20PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) compacto y eficiente
• Programable mediante programador de PROM estándar
• Retención permanente de datos sin necesidad de alimentación
• Alta velocidad de acceso típica de memorias bipolares
• Compatible con sistemas de lógica TTL 74LS y 74S
• Ideal para reemplazo en equipos vintage y retro-computing

Especificaciones técnicas

• Referencia: N82S123
• Tipo de memoria: PROM Bipolar TTL
• Capacidad: 256 bits
• Configuración: 32×8 bits
• Encapsulado: 20PLCC (20-pin Plastic Leaded Chip Carrier)
• Voltaje de operación: 5V DC
• Tecnología: Bipolar TTL
• Temperatura de operación: 0°C a 70°C
• Compatible con: Sistemas TTL estándar

Aplicaciones

• Almacenamiento de tablas de conversión en sistemas digitales
• Microcodificación en procesadores y controladores antiguos
• Reparación y mantenimiento de equipos industriales antiguos
• Proyectos de retro-computing y restauración de computadoras vintage
• Decodificación de direcciones en sistemas de memoria
• Generación de caracteres en displays y terminales clásicas
• Almacenamiento de firmware en sistemas embebidos antiguos
• Educación en electrónica digital y arquitectura de computadores

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